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NTMFS1D1N04XMT1G

Name: onsemi NTMFS1D1N04XMT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS1D1N04XMT1G
Price: 1.84 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NTMFS1D1N04XMT1G

Herst.- Nr.:

NTMFS1D1N04XMT1G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs 40V T10M IN S08FL PACKAGE

Datenblatt:

NTMFS1D1N04XMT1G Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	CHF 1.84	CHF 1.84
	CHF 1.19	CHF 11.90
	CHF 0.802	CHF 80.20
	CHF 0.641	CHF 320.50
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)
	CHF 0.574	CHF 861.00
	CHF 0.527	CHF 1'581.00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DFN-5
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	233 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.05 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.5 V
Qg - Gate-Ladung:	49.1 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	104 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	6.07 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	152 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	7.09 ns
Serie:	NTMFS1D1N04XM
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	32.8 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	22.2 ns

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Datenblatt

NTMFS1D1N04XMT1G Datenblatt

PCN

Product Change Notification 2024-02-06 (PDF)

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

40-V-Leistungs-MOSFETs

onsemi 40-V-Leistungs-MOSFETs verfügen über eine Standard-Gate-Pegeltechnologie und einen erstklassigen On-Widerstand. Die MOSFETs von onsemi sind für Motortreiber-Applikationen ausgelegt. Die Bauteile reduzieren Leitungs- und Antriebsverluste wirksam mit niedrigem On-Widerstand und reduzierter Gate-Ladung. Darüber hinaus bieten die MOSFETs eine ausgezeichnete Weichheitskontrolle für die Sperrverzögerung der Body-Dioden, wodurch die Belastung der Spannungsspitzen wirksam reduziert wird, ohne dass eine zusätzliche Snubber-Schaltung in Applikationen erforderlich ist.

PowerTrench Technologie

Die onsemi PowerTrench Technologie stellt die Weiterentwicklung der PowerTrench Technologie dar, insbesondere von T6 bis T10, was einen Durchbruch in der Leistungselektronikbedeutet. Die von onsemi entwickelten PowerTrench MOSFETs bieten verbesserte Wirkungsgrade und Leistungen in verschiedenen Applikationen. Der Wechsel von T6/T8 zu T10 verbessert den On-Widerstand und die Schaltleistung auf signifikante Weise, was für energieeffiziente Designs entscheidend ist.