NTMFS7D5N15MC

onsemi
863-NTMFS7D5N15MC
NTMFS7D5N15MC

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs PTNG 150V 7.4MOHM POWERCLIP56

Datenblatt:
ECAD Model:
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onsemi
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PQFN-8
N-Channel
1 Channel
150 V
95.6 A
7.9 mOhms
- 20 V, 20 V
4.5 V
46 nC
- 55 C
+ 175 C
166.7 W
Enhancement
PowerTrench
Reel
Cut Tape
Marke: onsemi
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 5 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 91 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 6 ns
Serie: NTMFS7D5N15MC
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 32 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 27 ns
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Datenblatt

Konformitätscodes
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Philippinen
Herstellungsland:
Philippinen
Land der Verbreitung:
Korea, Republik von
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

Abgeschirmte Gate-PowerTrench®-MOSFETs

Die abgeschirmten Gate-PowerTrench®-MOSFETs von Onsemi sind N-Kanal-MOSFETs, die Einschaltwiderstand minimieren und eine überragende Schaltleistung mit der erstklassigen Soft-Body-Diode bieten. Dieser MOSFET bietet im Vergleich zu anderen MOSFETs eine niedrigere Qrr. Die abgeschirmten Gate-PowerTrench®-MOSFETs von Onsemi verringern Schaltgeräusche/elektromoagnetische Störung (EMI). Diese MOSFETs verfügen über einen niedrigen RDS(on) zur Reduzierung von Leitungsverlusten, sowie über eine niedrige QG und Kapazität, um die Verluste im Treiber zu reduzieren. Die abgeschirmten Gate-PowerTrench-MOSFETs kommen in einem kleinen PQFN8-Gehäuse mit Abmessungen von 5 mm x 6 mm für kompakte Designs. Typische Applikationen sind Synchrongleichrichtung (SR), AC-DC- und DC/DC-Netzteile, AC-DC-Adapter (USB Power Delivery) SR, und Lastschalter.

NTMFS7D5N15MC Abgeschirmter Gate-PowerTrench®-MOSFET

Der onsemi NTMFS7D5N15MC abgeschirmte n-Kanal-Gate-PowerTrench®-MOSFET wird in einem fortschrittlichen PowerTrench-Prozess hergestellt, der die abgeschirmte Gate-Technologie umfasst. Dieser Prozess wurde optimiert, um den Einschaltwiderstand zu reduzieren und dennoch eine hervorragende Schaltleistung mit einer erstklassigen Soft-Body-Diode beizubehalten. Der NTMFS7D5N15MC von onsemi senkt das Schaltrauschen, die EMI, die Kapazität (zur Reduzierung der Treiberverluste) und einen RDS(on) (zur Reduzierung der Leitungsverluste).

Lösungen zur Energiespeicherung

onsemi Energiespeichersysteme (ESS) speichern Strom aus verschiedenen Energiequellen wie Kohle, Kernkraft, Wind und Sonne in verschiedenen Formen, darunter Batterien (elektrochemisch), Druckluft (mechanisch) und Salzschmelze (thermisch). Diese Lösung konzentriert sich auf Batterie-Energiespeichersysteme, die an Solar-Wechselrichtersysteme angeschlossen sind.

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