Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

NTMFS7D8N10GTWG

Name: onsemi NTMFS7D8N10GTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS7D8N10GTWG
Price: 3.56 CHF
Availability: InStock

Mouser-Nr.:

863-NTMFS7D8N10GTWG

Herst.- Nr.:

NTMFS7D8N10GTWG

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs 100V MVSOA IN POWER CLIP 5X6 PACKAGE

Datenblatt:

NTMFS7D8N10GTWG Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu onsemi NTMFS7D8N10GTWG

Auf Lager: 8'526

Lagerbestand:: 8'526 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 33 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

CHF -.--

Erw. Preis:

CHF -.--

Vorauss. Zolltarif:

Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 3.56	CHF 3.56
	CHF 2.44	CHF 24.40
	CHF 1.73	CHF 173.00
	CHF 1.60	CHF 800.00
	CHF 1.54	CHF 1'540.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 1.36	CHF 4'080.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	80 V
Id - Drain-Gleichstrom:	110 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	7.6 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	92 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	187 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	PowerTrench
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	onsemi
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	NTMFS7D8N10G
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

NTMFS7D8N10GTWG Datenblatt

Material Composition Disclosure

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Abgeschirmte Gate-PowerTrench®-MOSFETs

Die abgeschirmten Gate-PowerTrench®-MOSFETs von Onsemi sind N-Kanal-MOSFETs, die Einschaltwiderstand minimieren und eine überragende Schaltleistung mit der erstklassigen Soft-Body-Diode bieten. Dieser MOSFET bietet im Vergleich zu anderen MOSFETs eine niedrigere Q_rr. Die abgeschirmten Gate-PowerTrench®-MOSFETs von Onsemi verringern Schaltgeräusche/elektromoagnetische Störung (EMI). Diese MOSFETs verfügen über einen niedrigen R_DS(on) zur Reduzierung von Leitungsverlusten, sowie über eine niedrige Q_G und Kapazität, um die Verluste im Treiber zu reduzieren. Die abgeschirmten Gate-PowerTrench-MOSFETs kommen in einem kleinen PQFN8-Gehäuse mit Abmessungen von 5 mm x 6 mm für kompakte Designs. Typische Applikationen sind Synchrongleichrichtung (SR), AC-DC- und DC/DC-Netzteile, AC-DC-Adapter (USB Power Delivery) SR, und Lastschalter.