NTMFSC4D2N10MC

onsemi
863-NTMFSC4D2N10MC
NTMFSC4D2N10MC

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs 100V PTNG IN 5X6 DUAL COOL

ECAD Model:
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CHF 2.83 CHF 2.83
CHF 2.17 CHF 21.70
CHF 1.71 CHF 171.00
CHF 1.64 CHF 820.00
CHF 1.63 CHF 1'630.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
CHF 1.42 CHF 4'260.00

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onsemi
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
DFN-8
N-Channel
1 Channel
100 V
116 A
4.3 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
42 nC
- 55 C
+ 175 C
122 W
Enhancement
PowerTrench
Reel
Cut Tape
Marke: onsemi
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 5.2 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 18 ns
Serie: NTMFSC4D2N10MC
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 30 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 12 ns
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Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

NTMFSC PowerTrench® MOSFETs

Die onsemi PowerTrench®-MOSFETs bieten einen niedrigen RDS(on) bei gleichzeitiger Aufrechterhaltung einer hervorragenden Schaltleistung durch einen extrem niedrigen thermischen Sperrschicht-zu-Umgebungswiderstand (θJA). Dies wird aufgrund der Fortschritte bei sowohl Silizium- als auch Dual Cool™-Gehäusetechnologien ermöglicht. Die PowerTrench®-MOSFETs werden in einem zu 100 % UIL-geprüften und RoHS-konformen DFN-8-Gehäuse geliefert. Zu den typischen Applikationen gehören synchrone Gleichrichter, AC/DC-Netzteile, primärer MOSFET auf isoliertem 48-V-Wandler und isolierte DC/DC-Wandler.

Industrielle Motorantriebe

onsemi Industrie-Motorantriebe sind für die globale Nachhaltigkeit ausgelegt und liefern effiziente, erneuerbare Technologien und intelligente Leistung. Laut der vom US- Energieministerium (DOE) veröffentlichten Marktanalyse für 2020 (MSMA) verbrauchen Industriepumpen und Laufwerke jährlich fast 15 % des gesamten US- Rasters. Die MSMA von 2020 schätzt auch, dass jährlich 32,3 Millionen Tonnen CO2-Emissionen eingespart werden können, indem VFDs eingesetzt werden. Onsemi stellt eine breite Palette von VFD Halbleiter Bauelementen her, einschließlich Gate-Treiber. MOSFETs IGBTs und EliteSiC.