NTMJS1D4N06CLTWG

onsemi
863-NTMJS1D4N06CLTWG
NTMJS1D4N06CLTWG

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs T6 60V LL LFPAK

ECAD Model:
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onsemi
Produktkategorie: MOSFETs
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
LFPAK-8
N-Channel
1 Channel
60 V
262 A
1.3 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
103 nC
- 55 C
+ 175 C
180 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: onsemi
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 19 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 244 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 21 ns
Serie: NTMJS1D4N06CL
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 52 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 29 ns
Gewicht pro Stück: 99.445 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

Konformitätscodes
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Philippinen
Herstellungsland:
Philippinen
Land der Verbreitung:
Japan
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

n-Einkanal-Leistungs-MOSFETs

Die n-Einzelkanal-Leistungs-MOSFETs von onsemi sind MOSFETs mit kleinem Footprint und kompaktem Design mit niedrigem RDS(on) und geringer Kapazität. Der niedrige RDS(on)-Wert sorgt für eine Reduzierung der Leitungsverluste und die geringe Kapazität reduziert die Treiberverluste. Diese n-Einkanal-Leistungs-MOSFETs sind bleifrei und RoHS-konform und verfügen über einen Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis +175 °C.

Trench6-n-Kanal-MV-MOSFETs

onsemi Trench6-n-Kanal-MV-MOSFETs sind MOSFETs mit 30 V, 40 V und 60 V, die mit einem fortschrittlichen Power-Trench-Verfahren hergestellt werden, das die abgeschirmte Gate-Technologie enthält. Dieses Verfahren wurde für die Reduzierung des Einschaltwiderstands optimiert und bietet mit einer erstklassigen Soft-Bodydiode trotzdem eine überragende Schaltleistung.

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CHF 1.28 CHF 128.00
CHF 1.04 CHF 520.00
CHF 0.955 CHF 955.00
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