PDZVTR3.3B

ROHM Semiconductor
755-PDZVTR3.3B
PDZVTR3.3B

Herst.:

Beschreibung:
Zener-Dioden Zener Diode 3.3V 1000mW Surface Mount

ECAD Model:
Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Auf Lager: 4’101

Lagerbestand:
4’101 sofort lieferbar
Lieferzeit ab Hersteller:
12 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.
Minimum: 1   Vielfache: 1
Stückpreis:
CHF -.--
Erw. Preis:
CHF -.--
Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
CHF 0.356 CHF 0.36
CHF 0.246 CHF 2.46
CHF 0.152 CHF 15.20
CHF 0.128 CHF 64.00
CHF 0.101 CHF 101.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
CHF 0.10 CHF 300.00
CHF 0.078 CHF 468.00

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Zener-Dioden
RoHS:  
REACH - SVHC:
3.3 V
SMD/SMT
SOD-128-2
1 W
80 uA
15 Ohms
+ 150 C
Single
40 mA
Reel
Cut Tape
Marke: ROHM Semiconductor
Höhe: 1.05 mm
Länge: 3.9 mm
Produkt-Typ: Zener Diodes
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Diodes & Rectifiers
Breite: 2.7 mm
Zener-Strom: 80 uA
Artikel # Aliases: PDZV3.3B
Produkte gefunden:
Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus
Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.
Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8541100000
CAHTS:
8541100030
USHTS:
8541100050
JPHTS:
854110090
KRHTS:
8541109000
TARIC:
8541100000
MXHTS:
8541100199
BRHTS:
85411091
ECCN:
EAR99

PDZVTRx Zener-Dioden

Die PDZVTRx Zenerdioden von ROHM Semiconductor  sind Dioden mit kleiner Leistung, die sich durch eine epitaktische planare  Siliziumstruktur und hohe Zuverlässigkeit auszeichnen. Diese Zener-Dioden bieten eine Verlustleistung von 1.000 mW und eine Sperrschichttemperatur von 150°°C. Die PDZVTRx-Zener-Dioden sind für einen Temperaturbereich von -55 °C bis 150 °C ausgelegt. Diese Zener-Dioden eignen sich hervorragend für den Einsatz in der Spannungsregelung und sind in einem geprägten Bandgehäuse verfügbar.