QH8KC5TCR

ROHM Semiconductor
755-QH8KC5TCR
QH8KC5TCR

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs 60V 3A, Dual Nch+Nch, TSMT8, Power MOSFET

Datenblatt:
ECAD Model:
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ROHM Semiconductor
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
TSMT-8
N-Channel
2 Channel
60 V
3 A
90 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
3.1 nC
- 55 C
+ 150 C
1.5 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marke: ROHM Semiconductor
Konfiguration: Dual
Abfallzeit: 3.1 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 1.3 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 4.8 ns
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 2 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 13 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 5.3 ns
Artikel # Aliases: QH8KC5
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Datenblatt

Specification Sheets

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Konformitätscodes
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Thailand
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
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QH8K Dual Nch+Nch Kleinsignal-MOSFETs

Die Dual-Nch+Nch-Kleinsignal-MOSFETs QH8K von ROHM Semiconductor unterstützen eine Spannungsfestigkeit von 40 V, 60 V oder 100 V. Diese Baureihe ist für Geräte mit 24 V Eingangsspannung, z. B. Anlagen zur Fabrikautomatisierung und auf Basisstationen (Kühlgebläse) montierte Motoren, ausgelegt. Die QH8K-Bauteile bestehen aus einem Nch-MOSFET mit niedrigem Einschaltwiderstand, der im Vergleich zu herkömmlichen ROHM-Produkten um 58 % reduziert wird. Dies führt zu einem geringen Stromverbrauch der Komponenten. Diese MOSFETs sind in einem kleinen für die Oberflächenmontage geeigneten TSMT8-Gehäuse mit acht Anschlüssen und einer bleifreien Beschichtung verfügbar. Die Dual-Nch+Nch-Kleinsignal-MOSFETs QH8K von ROHM Semiconductor eignen sich hervorragend für Schalt- und Motorantriebsapplikationen.

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