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R8002KND3TL1

Name: ROHM Semiconductor R8002KND3TL1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-R8002KND3TL1
Price: 1.71 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-R8002KND3TL1

Herst.- Nr.:

R8002KND3TL1

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 800V 2A 3rd Gen, Fast Switch

Datenblatt:

R8002KND3TL1 Datenblatt

ECAD Model:

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	CHF 1.71	CHF 1.71
	CHF 1.08	CHF 10.80
	CHF 0.739	CHF 73.90
	CHF 0.657	CHF 328.50
	CHF 0.549	CHF 549.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	CHF 0.523	CHF 1’307.50

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TO-252-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	800 V
Id - Drain-Gleichstrom:	1.6 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	4.2 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.5 V
Qg - Gate-Ladung:	7.5 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	30 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	100 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	16 ns
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	Power MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	34 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	15 ns
Artikel # Aliases:	R8002KND3

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USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

R8002KN N-Kanal 800-V- 1,6-A-Leistungs-MOSFET

Der R8002KN N-Kanal 800-V- 1,6-A-Leistungs-MOSFET von ROHM Semiconductor ist ein Bauteil mit niedrigem Einschaltwiderstand und schnellem Schaltverhalten. Der R8002KN verfügt über eine bleifreie Beschichtung und ist RoHS-konform. Die MOSFETs werden parallel verwendet, was einfach zu handhaben ist.