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RGA80TSX2EHRC11

Name: ROHM Semiconductor RGA80TSX2EHRC11
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RGA80TSX2EHRC11
Price: 11.21 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-RGA80TSX2EHRC11

Herst.- Nr.:

RGA80TSX2EHRC11

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

IGBTs 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 69A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive

Lebenszyklus:

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Datenblatt:

RGA80TSX2EHRC11 Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	TO-247N-3
Montageart:	Through Hole
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	1.2 kV
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	2 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	30 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	105 A
Pd - Verlustleistung:	468 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Verpackung:	Tube
Marke:	ROHM Semiconductor
Kriechstrom Gate-Emitter:	500 nA
Produkt-Typ:	IGBTs
Verpackung ab Werk:	450
Unterkategorie:	Transistors

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Datenblatt

RGA80TSX2EHRC11 Datenblatt (PDF)

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Konformitätscodes

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Thailand
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

RGA80Tx 1.200 Vn-Field-Stop-Trench-IGBTs

Die RGA80Tx 1.200 Vn-Field-Stop-Trench-IGBTs von ROHM Semiconductor verfügen über einen geringen Schalt- und Leitungsverlust. Diese IGBTs verfügen über 1.200 V Kollektor-Emitter-Nennspannung und 69 A Kollektor-Nennstrom. Die RGA80Tx Bauteile von ROHM Semiconductor eignen sich hervorragend für elektrische Kompressoren, HV-Heizgeräte für Fahrzeuganwendungen und Wechselrichter für Industrieapplikationen.