Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

RQ3L120BJFRATCB

Name: ROHM Semiconductor RQ3L120BJFRATCB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RQ3L120BJFRATCB
Price: 1.29 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-RQ3L120BJFRATCB

Herst.- Nr.:

RQ3L120BJFRATCB

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs Pch -60V -12A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

RQ3L120BJFRATCB Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu ROHM Semiconductor RQ3L120BJFRATCB

Auf Lager: 2’795

Lagerbestand:: 2’795 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 16 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

CHF -.--

Erw. Preis:

CHF -.--

Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	CHF 1.29	CHF 1.29
	CHF 0.819	CHF 8.19
	CHF 0.543	CHF 54.30
	CHF 0.427	CHF 213.50
	CHF 0.39	CHF 390.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 0.353	CHF 1’059.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	HSMT-8
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	12 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	106 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 5 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	15.7 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	40 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	18 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	7.8 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	13 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	52 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	8.7 ns

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

RQ3L120BJFRATCB Datenblatt

Specification Sheets

Datasheet - Chinese (English language)

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

RQ3xFRATCB Leistungs-MOSFETs

ROHM Semiconductor RQ3xFRATCB Leistungs-MOSFETs sind AEC-Q101-qualifizierte MOSFETs in Fahrzeugqualität. Diese MOSFETs bieten einen Drain-Source Spannungsbereich von -40 V bis 100 V, 8 Anschlüsse, bis 69 W Verlustleistung und ±12A bis ±27 A Dauersenkenstrom. Die Leistungs-MOSFETs RQ3xFRATCB sind in n-Kanal und p-Kanal erhältlich. Diese Leistungs-MOSFETs sind in einem kleinen 3,3 mm x 3,3 mm HSMT8AG-Gehäuse untergebracht. Die RQ3xFRATCB Leistungs-MOSFETs sind ideal für fortschrittliche Fahrerassistenzsysteme (Advanced Driver Assistance Systems, ADAS), Infotainment, Beleuchtung und Karosserie.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.