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SBC846BPDW1T3G

Name: onsemi SBC846BPDW1T3G
Brand: onsemi
SKU: 863-SBC846BPDW1T3G
Price: 0.23 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-SBC846BPDW1T3G

Herst.- Nr.:

SBC846BPDW1T3G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

Bipolartransistoren - BJT NPN PNP Bipolar Transistor

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

SBC846BPDW1T3G Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	Bipolartransistoren - BJT
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT-363-6
Transistorpolung:	NPN, PNP
Konfiguration:	Dual
Maximaler Kollektorgleichstrom (DC):	100 mA
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	65 V
Kollektor-Basisspannung VCBO:	80 V
Emitter-Basisspannung VEBO:	6 V
Pd - Verlustleistung:	380 mW
Bandbreitengewinnungsprodukt fT:	100 MHz
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Serie:	BC846BPDW1
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Kollektorgleichstrom:	- 100 mA, 100 mA
DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min:	200
DC Stromverstärkung hFE max.:	800
Produkt-Typ:	BJTs - Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk:	10000
Unterkategorie:	Transistors

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Datenblatt

SBC846BPDW1T3G Datenblatt (PDF)

PCN

Product Change Notification 2026-5-6 (PDF)

Material Composition Disclosure

Konformitätscodes

CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210075
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Malaysia
Herstellungsland:: China
Land der Verbreitung:: Malaysia

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

BC846BPDW1 Bipolartransistoren

Onsemi BC846BPDW1 Bipolartransistoren sind Dual-Universal-Transistoren, die für stromsparende oberflächenmontierbare Applikationen ausgelegt sind. Diese NPN/PNP-Transistoren sind im SOT-363/SC-88-Gehäuse untergebracht. Die BC846BPDW1 Bipolartransistoren sind AEC-Q101-qualifiziert, PPAP-fähig und in einem bleifreien Gehäuse verfügbar. Diese NPN/PNP-Transistoren sind halogenfrei/BFR-frei und RoHS-konform. Die bipolaren Transistoren eignen sich hervorragend für stromsparende oberflächenmontierbare Applikationen.

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SBC846BPDW1T3G

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