Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

SCS210AGC17

Name: ROHM Semiconductor SCS210AGC17
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCS210AGC17
Price: 4.77 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-SCS210AGC17

Herst.- Nr.:

SCS210AGC17

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

SiC Schottky Dioden SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 10A, 2nd Gen

Lebenszyklus:

NRND:

Nicht empfohlen für neue Designs.

Datenblatt:

SCS210AGC17 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu ROHM Semiconductor SCS210AGC17

Auf Lager: 770

Lagerbestand:: 770 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 21 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Bestellmengen größer als 770 können einer Mindestbestellmenge unterliegen.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

CHF -.--

Erw. Preis:

CHF -.--

Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	CHF 4.77	CHF 4.77
	CHF 2.29	CHF 22.90
	CHF 2.22	CHF 222.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	SiC Schottky Dioden
RoHS:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220ACG-2
Konfiguration:	Single
If - Durchlassstrom:	10 A
Vrrm - Periodische Sperrspannung:	650 V
Vf - Durchlassspannung:	1.55 V
Ifsm - Durchlass-Stoßstrom:	38 A
Ir - Sperrstrom:	200 uA
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Verpackung:	Tube
Marke:	ROHM Semiconductor
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Pd - Verlustleistung:	78 W
Produkt-Typ:	SiC Schottky Diodes
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Diodes & Rectifiers
Vr - Sperrspannung:	650 V
Artikel # Aliases:	SCS210AG

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

SCS210AGC17 Datenblatt (PDF)

Specification Sheets

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

TO-220ACG SiC-Schottky-Barriere-Dioden

Die TO-220ACG Siliziumkarbid (SiC)-Schottky-Barrier-Dioden (SBD) von ROHM Semiconductor haben einen Sperrspannungsbereich von 650 V bis 1.200 V und einen kontinuierlichen Sperrstrombereich von 1,2 µA bis 20,0 µA. Die SiC-Technologie ermöglicht es diesen Bauelementen, eine niedrige kapazitive Ladung (Q_C) beizubehalten, was die Schaltverluste verringert und gleichzeitig einen schnellen Schaltbetrieb ermöglicht. Darüber hinaus behalten SiC-Bauelemente im Gegensatz zu den Si-basierten Fast-Recovery-Dioden, bei denen die Rückwärtserholungszeit mit der Temperatur ansteigt, konstante Eigenschaften bei, was zu einer besseren Leistung führt.

Siliziumkarbid-Bauteile (SiC)

Die Siliziumkarbid-Leistungselemente von ROHM Semiconductor liefern eine 10-fache dielektrische Durchbruchfeldstärke, eine 3x größere Bandlücke, und die 3-fache Wärmeleitfähigkeit im Vergleich zu konventionellen Silizium-Lösungen. Dies ermöglicht geringere Schaltverluste, einen geringeren ON-Widerstand, und eine höhere Betriebstemperatur. Das Ergebnis sind eine geringere Verlustleistung und kleinere Module. Außerdem benötigen Designer weniger Bauteile, was die Komplexität der Entwicklung weiter reduziert.