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SCS215AGC17

Name: ROHM Semiconductor SCS215AGC17
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCS215AGC17
Price: 5.93 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-SCS215AGC17

Herst.- Nr.:

SCS215AGC17

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

SiC Schottky Dioden SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 15A, 2nd Gen

Lebenszyklus:

NRND:

Nicht empfohlen für neue Designs.

Datenblatt:

SCS215AGC17 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	SiC Schottky Dioden
RoHS:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220ACG-2
Konfiguration:	Single
If - Durchlassstrom:	15 A
Vrrm - Periodische Sperrspannung:	650 V
Vf - Durchlassspannung:	1.55 V
Ifsm - Durchlass-Stoßstrom:	52 A
Ir - Sperrstrom:	300 uA
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Verpackung:	Tube
Marke:	ROHM Semiconductor
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Pd - Verlustleistung:	110 W
Produkt-Typ:	SiC Schottky Diodes
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Diodes & Rectifiers
Vr - Sperrspannung:	650 V
Artikel # Aliases:	SCS215AG

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Datenblatt

SCS215AGC17 Datenblatt (PDF)

Specification Sheets

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CNHTS:: 8541100000
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

TO-220ACG SiC-Schottky-Barriere-Dioden

Die TO-220ACG Siliziumkarbid (SiC)-Schottky-Barrier-Dioden (SBD) von ROHM Semiconductor haben einen Sperrspannungsbereich von 650 V bis 1.200 V und einen kontinuierlichen Sperrstrombereich von 1,2 µA bis 20,0 µA. Die SiC-Technologie ermöglicht es diesen Bauelementen, eine niedrige kapazitive Ladung (Q_C) beizubehalten, was die Schaltverluste verringert und gleichzeitig einen schnellen Schaltbetrieb ermöglicht. Darüber hinaus behalten SiC-Bauelemente im Gegensatz zu den Si-basierten Fast-Recovery-Dioden, bei denen die Rückwärtserholungszeit mit der Temperatur ansteigt, konstante Eigenschaften bei, was zu einer besseren Leistung führt.

Siliziumkarbid-Bauteile (SiC)

Die Siliziumkarbid-Leistungselemente von ROHM Semiconductor liefern eine 10-fache dielektrische Durchbruchfeldstärke, eine 3x größere Bandlücke, und die 3-fache Wärmeleitfähigkeit im Vergleich zu konventionellen Silizium-Lösungen. Dies ermöglicht geringere Schaltverluste, einen geringeren ON-Widerstand, und eine höhere Betriebstemperatur. Das Ergebnis sind eine geringere Verlustleistung und kleinere Module. Außerdem benötigen Designer weniger Bauteile, was die Komplexität der Entwicklung weiter reduziert.