SCS240AE2HRC11

ROHM Semiconductor
755-SCS240AE2HRC11
SCS240AE2HRC11

Herst.:

Beschreibung:
SiC Schottky Dioden AECQ

Datenblatt:
ECAD Model:
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ROHM Semiconductor
Produktkategorie: SiC Schottky Dioden
RoHS:  
Through Hole
TO-247N-3
Dual
40 A
650 V
1.55 V
130 A
400 uA
+ 175 C
650 V
AEC-Q101
Tube
Marke: ROHM Semiconductor
Pd - Verlustleistung: 270 W
Produkt-Typ: SiC Schottky Diodes
Verpackung ab Werk: 450
Unterkategorie: Diodes & Rectifiers
Artikel # Aliases: SCS240AE2HR
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Datenblatt

Specification Sheets

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Konformitätscodes
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
JPHTS:
854110090
KRHTS:
8541109000
TARIC:
8541100000
MXHTS:
8541100199
BRHTS:
85411099
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Thailand
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

Siliziumkarbid-Bauteile (SiC)

Die Siliziumkarbid-Leistungselemente von ROHM Semiconductor liefern eine 10-fache dielektrische Durchbruchfeldstärke, eine 3x größere Bandlücke, und die 3-fache Wärmeleitfähigkeit im Vergleich zu konventionellen Silizium-Lösungen. Dies ermöglicht geringere Schaltverluste, einen geringeren ON-Widerstand, und eine höhere Betriebstemperatur. Das Ergebnis sind eine geringere Verlustleistung und kleinere Module. Außerdem benötigen Designer weniger Bauteile, was die Komplexität der Entwicklung weiter reduziert.

AEC-Q101 SiC-Schottky-Barriere-Dioden

Die AEC-Q101 SiC-Schottky-Barriere-Dioden von ROHM Semiconductor liefern eine Durchbruchspannung von 600 V, die weit über der Obergrenze für Silizium-SBDs liegt. Die AEC-Q101-Dioden verwenden SiC, wodurch sie sich ideal für PFC-Schaltungen und Wechselrichter eignen. Darüber hinaus wird das Hochgeschwindigkeitsschalten mit einer extrem kurzen Sperrverzögerungszeit ermöglicht. Dies minimiert sowohl die Sperrverzögerungsladung als auch den Schaltverlust und trägt zur Miniaturisierung des Endprodukts bei. Die AEC-Q101 SiC-Schottky-Barriere-Dioden bieten einen Sperrspannungsbereich von 650 V bis 1.200 V, einen Dauerdurchlassstrombereich von 1,2 uA bis 260 uA und einen Gesamtverlustleistungsbereich zwischen 48 W und 280 W. Die Bauteile sind in den Gehäusen TO-220, TO-247 und TO-263 mit einer maximalen Temperatur von +175 °C erhältlich.

Auf Lager: 325

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Lieferzeit ab Hersteller:
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CHF -.--
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CHF -.--
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