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SH8KB7TB1

Name: ROHM Semiconductor SH8KB7TB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SH8KB7TB1
Price: 1.92 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-SH8KB7TB1

Herst.- Nr.:

SH8KB7TB1

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs SOP8 2NCH 40V 13.5A

Datenblatt:

SH8KB7TB1 Datenblatt

ECAD Model:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOP-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	13.5 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	8.4 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	27 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	2 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Dual
Abfallzeit:	18 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	13 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	16 ns
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	2 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	47 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	18 ns
Artikel # Aliases:	SH8KB7

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Datenblatt

SH8KB7TB1 Datenblatt

Specification Sheets

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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SH8KB7TB1

Herst.: ROHM Semiconductor

Beschreibung: MOSFETs SOP8 2NCH 40V 13.5A

Technische Daten

Dokumente (3)

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Produkt- und Handelskonformität

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MOSFETs SOP8 2NCH 40V 13.5A

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