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SI4459ADY-T1-GE3

Name: Vishay SI4459ADY-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 781-SI4459ADY-T1-GE3
Price: 2.36 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

781-SI4459ADY-T1-GE3

Herst.- Nr.:

SI4459ADY-T1-GE3

Herst.:

Vishay Semiconductors

Beschreibung:

MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8

Datenblatt:

SI4459ADY-T1-GE3 Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 2.36	CHF 2.36
	CHF 1.54	CHF 15.40
	CHF 1.06	CHF 106.00
	CHF 0.875	CHF 437.50
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	CHF 0.718	CHF 1'795.00
	CHF 0.715	CHF 3'575.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOIC-8
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	29 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1 V
Qg - Gate-Ladung:	129 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	7.8 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	TrenchFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Vishay Semiconductors
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	20 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	24 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	16 ns
Serie:	SI4
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	80 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	16 ns
Artikel # Aliases:	SI4459ADY-GE3
Gewicht pro Stück:	750 mg

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Datenblatt

SI4459ADY-T1-GE3 Datenblatt

Application Notes

Mounting LITTLE FOOT‚ SO-8 Power MOSFETs

Models

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Si4 & Si7 P-Channel (D-S) MOSFETs

Vishay Semiconductor Si4 and Si7 P-Channel (D-S) MOSFETs features a small footprint and on-resistance rating down to 1.2V. The Vishay / Siliconix Si4 and Si7 offers 20V and 30V VDS in a PowerPAK SO-8 package.

Si4-MOSFETs

Die Si4-MOSFETS von Vishay/Siliconix sind Leistungs-MOSFETs vom Typ TrenchFET^®, die zur Verstärkung elektronischer Signale verwendet werden. Diese Si4-MOSFETS sind in den Ausführungen N-Kanal, P-Kanal sowie N- und P-Kanal erhältlich.Die Si4-MOSFETs bieten unterschiedliche V_GS, V_DS und Temperaturbereiche. Die Si4-MOSFETs arbeiten in einem Erweiterungsmodus und werden zum Umschalten zwischen elektronischen Signalen verwendet. Diese MOSFETs sind Oberflächen-montiert, 100 % R_g- und UIS-getestet und werden in einer Verpackungseinheit geliefert.
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