SSM3K324R,LF

Toshiba
757-SSM3K324RLF
SSM3K324R,LF

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs N-Ch U-MOSVI FET ID 4A 30VDSS 200pF

ECAD Model:
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Preis (CHF)

Menge Stückpreis
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CHF 0.188 CHF 1.88
CHF 0.12 CHF 12.00
CHF 0.089 CHF 44.50
CHF 0.079 CHF 79.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
CHF 0.066 CHF 198.00
CHF 0.059 CHF 354.00
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Toshiba
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
N-Channel
1 Channel
U-MOSVII-H
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Toshiba
Konfiguration: Single
Produkt-Typ: MOSFETs
Serie: SSM3K324
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Gewicht pro Stück: 11 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

U-MOSVI Small Signal MOSFETs

Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs offer a variety of gate drive voltages required for many different types of mobile devices. They are available in single, dual, N-channel, P-channel and various voltage versions, providing a wide variety of options for designers. Each MOSFET addresses the need to support high-current charging with low voltage and low RDS(on) requirements. The compact packages and and low voltage operation make Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs an ideal solution for high-density packaging requirements in smart phones and game consoles.

Diskrete Solid-State-Drive-Lösungen (SSD)

Toshiba  Diskrete Solid-State-Drive-Lösungen (SSD) verfügen über ein großes Produktangebot, das die neuesten Anforderungen mit TVS, Schottky-Barriere-Dioden (SBD), LDOs, Lastschalter-ICs und dem neuen leistungsstarken eFuse-IC erfüllt. Diese SSDs  können Daten schneller analysieren als herkömmliche Festplattenlaufwerke (HDD). Während die SSD-Technologie sich verbessert, wird eine Leistungsschaltung erforderlich sein, welche die zunehmend strengen Leistungsanforderungen zusammen mit einem Schutz, der wichtige Daten vor Ausfällen schützt, erfüllt.  Toshiba bietet eine große Auswahl von Lastschaltern und MOSFETs für die Steuerung von Leistungseingängen, Schutz-ICs und Dioden, die für den Umgang mit abnormalen Eingangsleistungsbedingungen und Überspannungen während des Hotplugs ausgelegt sind.

U-MOSVII-H MOSFETs

Toshiba U-MOSVII-H MOSFETs are logic-level gate drive and low-voltage gate drive devices offered in both single-channel and dual-channel variants. These devices have a drain-source voltage range of 12V to 60V and a continuous drain current range from 0.15m to 9.0A. Toshiba U-MOSVII-H MOSFETs are offered in a wide range of compact, surface-mounted package types, making them ideal for high-density applications.