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SSM6J507NU,LF

Name: Toshiba SSM6J507NU,LF
Brand: Toshiba
SKU: 757-SSM6J507NULF
Price: 0.59 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

757-SSM6J507NULF

Herst.- Nr.:

SSM6J507NU,LF

Herst.:

Toshiba

Beschreibung:

MOSFETs Small Signal MOSFET V=30V, I-10A

Datenblatt:

SSM6J507NU,LF Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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CHF -.--

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Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 0.592	CHF 0.59
	CHF 0.365	CHF 3.65
	CHF 0.235	CHF 23.50
	CHF 0.179	CHF 89.50
	CHF 0.16	CHF 160.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 0.134	CHF 402.00
	CHF 0.123	CHF 738.00
	CHF 0.107	CHF 963.00
	CHF 0.106	CHF 2'544.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Toshiba
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	UDFN-6
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	10 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	20 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 25 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1 V
Qg - Gate-Ladung:	13.6 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	2.5 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	U-MOSVI
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Toshiba
Konfiguration:	Single
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	SSM6J507
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	170 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	55 ns
Gewicht pro Stück:	8.500 mg

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Datenblatt

SSM6J507NU,LF Datenblatt (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

U-MOSVI Small Signal MOSFETs

Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs offer a variety of gate drive voltages required for many different types of mobile devices. They are available in single, dual, N-channel, P-channel and various voltage versions, providing a wide variety of options for designers. Each MOSFET addresses the need to support high-current charging with low voltage and low R_DS(on) requirements. The compact packages and and low voltage operation make Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs an ideal solution for high-density packaging requirements in smart phones and game consoles.

Semi Power MOSFETs

Toshiba Semi Power MOSFETs are designed with advanced technologies, achieving low R_ON characteristics. The Semi Power MOSFETs are very compact and thin at 2 x 2mm and 2.9 x 2.8mm, offering the low loss and compact size MOSFETs required for battery-powered devices such as smartphones and wearable devices.

USB Type-C™ Data Mux & Power Delivery Switches

Toshiba USB Type-C™ Data Mux and Power Delivery Switches support new features and new technology in mobile applications. Devices are charged with USB Power Delivery systems with higher charging voltages than before. For example, a 100W charging system delivers 20V/5A and would require a 30V-tolerant switch. Toshiba provides low-resistance 30V switches, including MOSFETs and IC switches, that provide overvoltage protection and slew rate control.