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SSM6N67NU,LF

Name: Toshiba SSM6N67NU,LF
Brand: Toshiba
SKU: 757-SSM6N67NULF
Price: 0.49 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

757-SSM6N67NULF

Herst.- Nr.:

SSM6N67NU,LF

Herst.:

Toshiba

Beschreibung:

MOSFETs LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V

Datenblatt:

SSM6N67NU,LF Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 0.495	CHF 0.50
	CHF 0.307	CHF 3.07
	CHF 0.197	CHF 19.70
	CHF 0.149	CHF 74.50
	CHF 0.132	CHF 132.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 0.107	CHF 321.00
	CHF 0.10	CHF 600.00
	CHF 0.086	CHF 774.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Toshiba
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	UDFN-6
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	4 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	39.1 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 8 V, 12 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	400 mV
Qg - Gate-Ladung:	3.2 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	1 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Handelsname:	U-MOSVII-H
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Toshiba
Konfiguration:	Dual
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	6 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	SSM6N67NU
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	17 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	26 ns
Gewicht pro Stück:	8.500 mg

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Ausgewählte Attribute: 0

                        
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation Automotive products 
may be used as engineering samples, however; they are not intended for 
volume automotive production or reliability testing without prior 
approval by Toshiba Semiconductor and Storage. 
Please contact a Mouser Technical Sales Representative for 
further assistance.
5-0320-2

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Datenblatt

SSM6N67NU,LF Datenblatt (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Semi Power MOSFETs

Toshiba Semi Power MOSFETs are designed with advanced technologies, achieving low R_ON characteristics. The Semi Power MOSFETs are very compact and thin at 2 x 2mm and 2.9 x 2.8mm, offering the low loss and compact size MOSFETs required for battery-powered devices such as smartphones and wearable devices.

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