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STD80N240K6

Name: STMicroelectronics STD80N240K6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STD80N240K6
Price: 4.19 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STD80N240K6

Herst.- Nr.:

STD80N240K6

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package

Vervollständigen Sie Ihr Design

Datenblatt:

STD80N240K6 Datenblatt (PDF)

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 4.19	CHF 4.19
	CHF 3.07	CHF 30.70
	CHF 2.48	CHF 248.00
	CHF 2.20	CHF 1'100.00
	CHF 1.88	CHF 1'880.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	CHF 1.88	CHF 4'700.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	800 V
Id - Drain-Gleichstrom:	16 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	220 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	25.9 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	105 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	STMicroelectronics
Produkt-Typ:	MOSFETs
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Gewicht pro Stück:	330 mg

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Datenblatt

STD80N240K6 Datenblatt (PDF)

PCN

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

STD80N240K6 800 V 16 A MDmesh K6 Leistungs-MOSFET

Der STD80N240K6 800V 16A MDmesh™ K6 Power MOSFET von STMicroelectronics bietet eine hervorragende R_DS(on) x Fläche und eine niedrige Gesamt-Gate-Ladung (Q_g), was hohe Schaltgeschwindigkeiten und geringe Verluste ermöglicht. Eine integrierte ESD-Schutzdiode erhöht die Gesamtrobustheit des STD80N240K6 MOSFETs bis zur HBM-Genauigkeitsklasse 2 (Human Body Model). Die MDmesh K6-MOSFETs haben im Vergleich zur vorherigen MDmesh K5-Generation eine niedrigere Schwellenspannung, was eine niedrigere Ansteuerspannung ermöglicht und somit die Leistungsverluste reduziert und die Effizienz vor allem bei Null-Watt-Standby-Anwendungen erhöht. Der STD80N240K6 ist für Beleuchtungsanwendungen mit Flyback-Topologie optimiert, z. B. für LED-Treiber und HID-Lampen. Das Gerät ist auch ideal für Adapter und Netzteile für Flachbildschirme geeignet.

MDmesh K6 n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Die N-Kanal-Leistungs-MOSFETs MDmesh K6 von STMicroelectronics sind durch Zener-Dioden geschützt und zu 100 % Avalanche-getestet. Diese Leistungs-MOSFETs zeichnen sich durch eine Mindest-Drain-Source-Durchschlagspannung von 800 V, eine Gate-Source-Spannung von ±30 V und eine Sperrschicht-Betriebstemperatur von -55 °C bis 150 °C aus. Die Leistungs-MOSFETs MDmesh K6 zeichnen sich außerdem durch eine maximale Dioden-Erholungs-Spannungsteilung von 5 V/ns, eine maximale Dioden-Erholungs-Stromteilung von 100 A/µs und eine MOSFET-dv/dt-Robustheit von 120 V/ns aus. Typische Anwendungen sind Notebooks und AIOs, Sperrwandler, Netzteile für Tablets und LED-Beleuchtung.