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STP80N240K6

Name: STMicroelectronics STP80N240K6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP80N240K6
Price: 4.99 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STP80N240K6

Herst.- Nr.:

STP80N240K6

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package

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Datenblatt:

STP80N240K6 Datenblatt (PDF)

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	800 V
Id - Drain-Gleichstrom:	10 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	220 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	25.9 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	140 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	MDmesh
Verpackung:	Tube
Marke:	STMicroelectronics
Abfallzeit:	12 s
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	5.3 ns
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	47.8 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	16 ns
Gewicht pro Stück:	2 g

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Datenblatt

STP80N240K6 Datenblatt (PDF)

PCN

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

STP80N240K6 MDmesh K6 Leistungs-MOSFET

Der STP80N240K6 MDmesh K6 Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics basiert auf der ultimativen MDmesh K6 Technologie, die auf der 20-jährigen Erfahrung von STM in der Super-Junction-Technologie beruht. Der Hochspannungs-N-Kanal-Leistungs-MOSFET bietet eine extrem niedrige Gate-Ladung und eine hervorragende R_DS(on) x Fläche. Der 800-V-Leistungs-MOSFET STP80N240K6 bietet den besten On-Widerstand pro Fläche und Gate-Ladung seiner Klasse für Applikationen, die eine hohe Leistungsdichte und einen hohen Wirkungsgrad erfordern.

MDmesh K6 n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Die N-Kanal-Leistungs-MOSFETs MDmesh K6 von STMicroelectronics sind durch Zener-Dioden geschützt und zu 100 % Avalanche-getestet. Diese Leistungs-MOSFETs zeichnen sich durch eine Mindest-Drain-Source-Durchschlagspannung von 800 V, eine Gate-Source-Spannung von ±30 V und eine Sperrschicht-Betriebstemperatur von -55 °C bis 150 °C aus. Die Leistungs-MOSFETs MDmesh K6 zeichnen sich außerdem durch eine maximale Dioden-Erholungs-Spannungsteilung von 5 V/ns, eine maximale Dioden-Erholungs-Stromteilung von 100 A/µs und eine MOSFET-dv/dt-Robustheit von 120 V/ns aus. Typische Anwendungen sind Notebooks und AIOs, Sperrwandler, Netzteile für Tablets und LED-Beleuchtung.