STW65N045M9-4

STMicroelectronics
511-STW65N045M9-4
STW65N045M9-4

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET
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STMicroelectronics
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
650 V
54 A
45 mOhms
- 30 V, 30 V
4.2 V
80 nC
- 55 C
+ 150 C
312 W
Enhancement
Tube
Marke: STMicroelectronics
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 4 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 10 ns
Serie: MDmesh M9
Verpackung ab Werk: 30
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 85 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 28 ns
Gewicht pro Stück: 6.080 g
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Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

PCN

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Konformitätscodes
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
China
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

MDmesh™ M9 Leistungs-MOSFETs

Die Leistungs-MOSFETs MDmesh™ M9 von STMicroelectronics zeichnen sich durch eine verbesserte Bauelementstruktur, einen niedrigen ON-Widerstand und niedrige Gate-Ladungswerte aus. Diese Leistungs-MOSFETs bieten eine hohe Rückwärtsdioden-dv/dt- und MOSFET-dv/dt-Robustheit, eine hohe Leistungsdichte und geringe Leitungsverluste. Darüber hinaus bieten die MDmesh M9-Leistungs-MOSFETs eine hohe Schaltgeschwindigkeit, einen hohen Wirkungsgrad und geringe Schaltleistungsverluste. Diese Leistungs-MOSFETs sind mit der innovativen Hochspannungs-Super-Junction-Technologie ausgelegt, die eine beeindruckende Gütezahl (FoM) liefert. Der hohe FoM ermöglicht höhere Leistungsstufen und eine höhere Dichte für kompaktere Lösungen. Zu den typischen Applikationen gehören Server, Telekommunikations-Rechenzentren, 5G-Kraftwerke, Mikrowechselrichter und Schnell Ladegeräte.

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