Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

SQJ152ELP-T1_GE3

Name: Vishay SQJ152ELP-T1_GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SQJ152ELP-T1_GE3
Price: 1.02 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-SQJ152ELP-T1_GE3

Herst.- Nr.:

SQJ152ELP-T1_GE3

Herst.:

Vishay Semiconductors

Beschreibung:

MOSFETs Auto N-Ch 40 V (D-S)

Datenblatt:

SQJ152ELP-T1_GE3 Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu Vishay Semiconductors SQJ152ELP-T1_GE3

Auf Lager: 1'291

Lagerbestand:: 1'291

sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Auf Bestellung:: 3'000

erwartet ab 23.02.2026
Lieferzeit ab Hersteller:: 7

Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

CHF -.--

Erw. Preis:

CHF -.--

Vorauss. Zolltarif:

Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 1.02	CHF 1.02
	CHF 0.653	CHF 6.53
	CHF 0.439	CHF 43.90
	CHF 0.369	CHF 184.50
	CHF 0.331	CHF 331.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 0.288	CHF 864.00
	CHF 0.272	CHF 1'632.00
	CHF 0.268	CHF 2'412.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerPAK SO-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	123 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.2 V
Qg - Gate-Ladung:	34 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	136 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	TrenchFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Vishay Semiconductors
Abfallzeit:	12 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	6.1 ns
Serie:	SQJ
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit:	35 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	13.5 ns
Gewicht pro Stück:	187 mg

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Technical Resources

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

SQJ152ELP Automotive-MOSFET

Der Vishay SQJ152ELP Automotive-MOSFET verfügt über ein Gehäuse mit drahtlosem Design, das die Drainstrombelastbarkeit des MOSFETs erhöht und seinen thermischen Widerstand reduziert. Dieser MOSFET implementiert die 40-V-TrenchFET^®-Gen-IV-Technologie und verfügt über eine verbesserte Zuverlässigkeit auf Boardebene. Der SQJ152ELP MOSFET ist AEC-Q101-qualifiziert und bietet externe Knickflügelleitungen, die für eine maximale Entlastung bei extremer thermischer und mechanischer Belastung ausgelegt sind. Dieser MOSFET eignet sich hervorragend für den Einsatz in Solid State Relais, High-Side-Schaltern, Motorantriebssteuerungen und weiteren Sicherheits- und Komfortsystemen.

SQJ Automotive-MOSFETs

Vishay/Siliconix SQJ Automotive-MOSFETs sind n-Kanal-TrenchFET^®-Gen-IV-Leistungs-MOSFETs mit 40 V_DS. Diese AEC-Q101-qualifizierten MOSFETs sind vollständig R_g- und UIS-getestet (Unclamped Inductive Switching, UIS) mit einem Q_gd-/Q_gs-Verhältnis von weniger als 1, das die Schalteigenschaften optimiert. Die SQJ Automotive-MOSFETs bieten einen sehr niedrigen R_DS(on) und werden in einem Temperaturbereich von -55 °C bis +175 °C betrieben.Diese Automobilstandard-MOSFETs sind in einem PowerPAK^®-SO-8L-Gehäuse mit Einzel-/Dual-Konfigurationen verfügbar. Zu den typischen Applikationen gehören Fahrzeuganwendungen, Motormanagement, Motorantriebe und Servomotoren sowie Batteriemanagement.