GC05MPS33J-TR

GeneSiC Semiconductor
905-GC05MPS33J-TR
GC05MPS33J-TR

Herst.:

Beschreibung:
SiC Schottky Dioden 3300V 5A TO-263-7 SiC Schottky MPS

Datenblatt:
ECAD Model:
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Navitas Semiconductor
Produktkategorie: SiC Schottky Dioden
RoHS:  
SiC Schottky MPS
Reel
Cut Tape
Marke: GeneSiC Semiconductor
Produkt-Typ: SiC Schottky Diodes
Verpackung ab Werk: 800
Unterkategorie: Diodes & Rectifiers
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Datenblatt

PCN

Konformitätscodes
USHTS:
8541100080
TARIC:
8541100000
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Vereinigte Staaten
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

3300V 5A SiC Schottky MPS Diode

GeneSiC Semiconductor 3300V 5A SiC Schottky MPS Diode is a new generation of SiC diode with improved surge and avalanche robustness. This SiC Schottky MPS diode incorporates enhanced forward and switching characteristics with 3300V Repetitive Peak Reverse Voltage (VRRM). The Schottky diode offers a continuous forwarding current (IF) of 8A and a total capacitative charge (Qc) of 43nC. This 3300V diode drives with low thermal resistance, temperature-independent fast switching, and low leakage current. The SiC Shottky MPS diode comes with advantages like optimal price-performance, increased price-performance and system power density, and reduced cooling requirements. Typical applications include medical imaging, oil drilling, geothermal instrumentation, high-frequency rectifiers, high voltage multipliers, and high voltage switching.  

Verfügbarkeit

Lagerbestand:
Nicht auf Lager
Lieferzeit ab Hersteller:
22 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks.
Minimum: 1   Vielfache: 1
Stückpreis:
CHF -.--
Erw. Preis:
CHF -.--
Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

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Erw. Preis
CHF 19.32 CHF 19.32
CHF 18.31 CHF 183.10
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