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UCC23313 Isolierte Gate-Treiber
Texas Instruments UCC23313 Isolierte Gate-Treiber sind für IGBTs, MOSFETs und SiC-MOSFETs mit einem Spitzen-Qellenstrom von 4,5 A und einem Spitzen-Senkenstrom von 5,3 A sowie einer Basisisolationsrate von 3,75 kVrms ausgelegt. Der UCC23313 verfügt über einen hohen Versorgungsspannungsbereich von 33 V und ermöglicht den Einsatz von bipolaren Versorgungen für eine wirksame Ansteuerung von IGBTs und SiC-Leistungs-FETs. Der UCC23313 kann sowohl Low-Side- als auch High-Side-Leistungs-FETs ansteuern.