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IRF150DM115XTMA1

Name: Infineon IRF150DM115XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IRF150DM115XTMA1
Price: 3.12 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IRF150DM115XTMA1

Herst.- Nr.:

IRF150DM115XTMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs IFX FET >100-150V

Datenblatt:

IRF150DM115XTMA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	CHF 3.12	CHF 3.12
	CHF 2.04	CHF 20.40
	CHF 1.48	CHF 148.00
	CHF 1.31	CHF 655.00
	CHF 1.18	CHF 1'180.00
	CHF 1.16	CHF 2'900.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 4800)
	CHF 1.16	CHF 5'568.00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	WG-WDSON-5
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	150 V
Id - Drain-Gleichstrom:	60 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	11.3 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.8 V
Qg - Gate-Ladung:	33 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	78 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	OptiMOS DirectFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Infineon Technologies
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	MX
Abfallzeit:	14 ns
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	21 ns
Verpackung ab Werk:	4800
Unterkategorie:	Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit:	14 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	11 ns
Artikel # Aliases:	IRF150DM115 SP001511080

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USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

IRF150DM115 OptiMOS™-5-150 V-MOSFET

Der OptiMOS™-5-150-V-MOSFET IRF150DM115 von Infineon Technologies wurde zur Optimierung des thermischen Designs entwickelt, um eine hohe Leistungsdichte und einen hohen Wirkungsgrad zu erreichen. Dieser MOSFET bietet eine bahnbrechende Reduzierung des R_DS(on) (bis zu 25 % im Vergleich zur Alternative in SuperSO8) und Q_rr, ohne FOM_gd und FOM_OSS zu beeinträchtigen. Dadurch wird der Konstruktionsaufwand effektiv reduziert und die Systemeffizienz optimiert. Der MOSFET IRF150DM115 ist in einem DirectFET™-Gehäuse mit OptiMOS™ 5 verfügbar. Das doppelseitig gekühlte Gehäuse mit geringer parasitärer Induktivität und Profilgestaltung ermöglicht Designs mit hoher Leistungsdichte. Dieser OptiMOS-5-150-V-MOSFET eignet sich für den Einsatz bei der gezielten Leistungsumwandlung in Photovoltaik-Optimierern, schnurlosen Elektrowerkzeugen und Motorsteuerungen. Zu den möglichen Applikationen gehören Mikro-Solar-Wechselrichter, Synchrongleichrichtung und DC/DC-Wandler.