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SIZ340BDT-T1-GE3

Name: Vishay SIZ340BDT-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIZ340BDT-T1-GE3
Price: 0.9 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-SIZ340BDT-T1-GE3

Herst.- Nr.:

SIZ340BDT-T1-GE3

Herst.:

Vishay / Siliconix

Beschreibung:

MOSFETs DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

Datenblatt:

SIZ340BDT-T1-GE3 Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 0.907	CHF 0.91
	CHF 0.57	CHF 5.70
	CHF 0.373	CHF 37.30
	CHF 0.289	CHF 144.50
	CHF 0.268	CHF 268.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 0.227	CHF 681.00
	CHF 0.22	CHF 1’320.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerPAIR-3x3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	36 A, 69.3 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	4.31 mOhms, 8.56 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 16 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.4 V
Qg - Gate-Ladung:	8.4 nC, 15.7 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	16.7 W, 31 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	TrenchFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Vishay / Siliconix
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	TW
Abfallzeit:	5 ns, 7 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	30 S, 60 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	6 ns, 7 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	TrenchFET Power MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	18 ns, 22 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	8 ns, 12 ns
Gewicht pro Stück:	143.050 mg

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PCN

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

SiZ340BDT 30-V-n-Zweikanal-MOSFET

Der Vishay/Siliconix SiZ340BDT 30-V-n-Zweikanal-MOSFET verfügt über ein Dual-Konfigurationsdesign mit einer TrenchFET®-Gen-IV-Leistung. Das Modul bietet eine Drain-Quellenspannung von 30 V_DS, einen gepulsten Drainstrom von 150 A in einem Temperaturbereich von -55 °C bis +150 °C. Der SiZ340BDT 30-V-n-Zweikanal-MOSFET ist halogenfrei und RoHS-konform. Typische Applikationen sind CPU-Core-Leistung, synchrone Abwärtswandler, Telekommunikations-DC/DC-Wandler und Computer.