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NVMFWS002N10MCLT1G

Name: onsemi NVMFWS002N10MCLT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-MFWS002N10MCLT1G
Price: 3.44 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-MFWS002N10MCLT1G

Herst.- Nr.:

NVMFWS002N10MCLT1G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs PTNG 100V LL SO8FL HE

Datenblatt:

NVMFWS002N10MCLT1G Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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	CHF 3.44	CHF 3.44
	CHF 2.26	CHF 22.60
	CHF 1.59	CHF 159.00
	CHF 1.46	CHF 730.00
	CHF 1.36	CHF 1’360.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)
	CHF 1.36	CHF 2’040.00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DFN-5
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	177 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	3.8 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3 V
Qg - Gate-Ladung:	97 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	164 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	MY
Abfallzeit:	105 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	200 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	30 ns
Serie:	NVMFWS002N10MC
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	250 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	24 ns

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Datenblatt

NVMFWS002N10MCLT1G Datenblatt

PCN

Product Change Notification 2024-07-03 (PDF)

Material Composition Disclosure

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

NVMFWS002N10MCL n-Einkanal-Leistungs-MOSFETs

onsemi NVMFWS002N10MCL n-Einkanal-Leistungs-MOSFETs verfügen über einen Dauersenkenstrom von 177 A, einen R_DS(ON) von 2,8 mΩ bei 10 V und eine Drain-to-Source-Spannung von 100 V. Der NVMFWS002N10MCL ist in einem Flat-Lead-Gehäuse von 5 mm x 6 mm erhältlich, das für kompakte und effiziente Designs ausgelegt ist. Der AEC-Q101-qualifizierte MOSFET von onsemi ist PPAP-fähig und eignet sich hervorragend für Fahrzeuganwendungen.