STH315N10F7 STripFET VII DeepGATE Leistungs-MOSFETs

Die TH315N10F7 STripFET™ VII DeepGATE™ Leistungs-MOSFETs von STMicroelectronics sind AEC-Q101-qualifizierte n-Kanal-Leistungs-MOSFETs für die Automobilindustrie, die erstklassigen Durchlasswiderstand mit niedrigen internen Kapazitäten und Gate-Ladung kombinieren und sowohl die Leitungs- als auch die Schalteffizienz verbessern. Diese Geräte sind in TO-220 oder 2-Pin oder 6-Pin H2PAK Industrie-Standard-Gehäusen erhältlich und helfen Entwicklern, die Platinengröße zu verringern und die Leistungsdichte zu maximieren. Die STH315N10F7 MOSFETs verfügen auch über eine extrem hohe Robustheit, um potenziell schädlichen Bedingungen standzuhalten. Die STripFET VII DeepGATE MOSFETs verfügen über eine Nennspannung von 100V und bieten einen angemessenen Sicherheitsspielraum, um typischen Überspannungen standzuhalten. Die STH315N10F7 STripFET VII DeepGATE MOSFETs sind auch gut für hoch robuste Leistung in Automobil- und Schaltanwendungen geeignet.
Weitere Informationen

Ergebnisse: 3
Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Technologie Montageart Verpackung/Gehäuse Transistorpolung Anzahl der Kanäle Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Id - Drain-Gleichstrom Rds On - Drain-Source-Widerstand Vgs - Gate-Source-Spannung Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung Qg - Gate-Ladung Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Pd - Verlustleistung Kanalmodus Qualifikation Handelsname Verpackung
STMicroelectronics MOSFETs Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET 2'895Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1'000

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 180 nC - 55 C + 175 C 315 W Enhancement AEC-Q101 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFETs Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET 889Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1'000

Si SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 180 nC - 55 C + 175 C 315 W Enhancement AEC-Q101 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFETs Automotive-grade N-channel 100 V, 2.3 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 180 nC - 55 C + 175 C 315 W Enhancement AEC-Q101 STripFET Tube