REXFET-1 Leistungs-MOSFETs mit 100 V und 150 V

Die REXFET-1 Leistungs-MOSFETs mit 100 V und 150 V von Renesas Electronics nutzen die Split-Gate-Technologie, wodurch der Einschaltwiderstand R_DSON und die Gütezahl deutlich reduziert werden. Sie eignen sich daher ideal für Hochstromapplikationen. Die Bauteile sind in den Gehäuseoptionen TOLL (TO-Leadless), TOLG (TO Leaded Gullwing) und TOLT (TO Top-Side Cooled) erhältlich und bieten ein außergewöhnliches thermisches Betriebsverhalten sowie maximale Strombelastbarkeit. Darüber hinaus verfügen die MOSFETs über ein Gehäuse mit benetzbaren Flanken für eine hervorragende Lötverbindung. Die REXFET-1 MOSFETs sind AEC-Q100-qualifiziert und verfügen über PPAP-Unterstützung für Fahrzeuganwendungen.