MJD31C und MJD32C 3-A-Bipolartransistoren mit 100 V

Nexperia MJD31C und MJD32C 3-A-Bipolartransistoren (BJT) mit 80 V bieten eine hohe thermische Verlustleistung in einem oberflächenmontierbaren (SMD) Power-DPAK-TO-252-Kunststoffgehäuse (SOT428C). Diese Bauteile bieten aufgrund der geringen Wärmeentwicklung eine hohe Energieeffizienz und verfügen über eine niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung. Die MJD31C und MJD32C eignen sich hervorragend für eine große Auswahl von Applikationen, einschließlich Linear-Spannungsregler, Leistungsmanagement und Konstantstromantriebs-Hintergrundbeleuchtung.

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Technologie Montageart Verpackung/Gehäuse Transistorpolung Konfiguration Maximaler Kollektorgleichstrom (DC) Kollektor-Emitterspannung VCEO max. Emitter-Basisspannung VEBO Sättigungsspannung Kollektor-Emitter Pd - Verlustleistung Bandbreitengewinnungsprodukt fT Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Verpackung
Nexperia Bipolartransistoren - BJT SOT428 100V 3A NPN HI PWR BJT 209Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 209
Rolle: 2’500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) NPN Single 5 A 100 V 6 V 1.2 V 15 W 3 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Bipolartransistoren - BJT SOT428 100V 3A PNP HI PWR BJT 1’836Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 1’836
Rolle: 2’500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) PNP Single 5 A 100 V 6 V 1.2 V 15 W 3 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Bipolartransistoren - BJT SOT428 100V 3A PNP HI PWR BJT 1’388Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 1’388
Rolle: 2’500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) PNP Single 5 A 100 V 6 V 1.2 V 15 W 3 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel