Gen1 Trench Gate Power MOSFETs

IXYS Gen1 Trench Gate Power MOSFETs are ideally suited for low voltage/ high current applications, requiring an exceedingly low RDS(ON), enabling very low power dissipation. This, combined with wide-ranging operating junction temperature, from -40°C to 175°C, make them suitable candidates for automobile applications and other similar demanding applications in harsh environments.

Arten von diskreten Halbleitern
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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS Produkt-Typ
Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
IXYS MOSFETs TO3P 200V 130A N-CH TRENCH
Datenblatt
1'140Ab Werk erhältlich
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P
IXYS MOSFETs TO3P 100V 60A N-CH TRENCH
Datenblatt
1'170Ab Werk erhältlich
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P
IXYS MOSFETs 102 Amps 150V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 300
Mult.: 50
MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS MOSFETs 130 Amps 100V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 300
Mult.: 50
MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)

IXYS MOSFETs 102 Amps 0V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFETs 110 Amps 0V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFETs Trench HiperFETs Power MOSFETs
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFETs Trench HiperFETs Power MOSFETs
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFETs 160 Amps 150V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFETs Trench HiperFETs Power MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS MOSFETs N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 39 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFETs 120A 300V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 25 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFETs TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 250V 140A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 25 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFETs 160A 300V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFETs 170 Amps 200V 0.014 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFETs 102 Amps 0V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 300
Mult.: 50

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS MOSFETs 130 Amps 100V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 300
Mult.: 50

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

IXYS MOSFETs GigaMOS Power MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 25 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS MOSFETs Trench HiperFETs Power MOSFETs
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 25 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)
IXYS MOSFETs TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 300V 86A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 25 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)

IXYS MOSFETs 120V 300V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFETs 140A 250V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFETs 170A 200V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS MOSFETs 110 Amps 55V 6.7 Rds
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-7
IXYS MOSFETs 130 Amps 100V 8.5 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)