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TPSM63604RDLR

Name: Texas Instruments TPSM63604RDLR
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-TPSM63604RDLR
Price: 11.39 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-TPSM63604RDLR

Herst.- Nr.:

TPSM63604RDLR

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

Schaltspannungsregler 36-V input 16-V out put 4-A synchronous

Datenblatt:

TPSM63604RDLR Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 11.39	CHF 11.39
	CHF 8.97	CHF 89.70
	CHF 8.36	CHF 209.00
	CHF 7.70	CHF 770.00
	CHF 7.38	CHF 1'845.00
	CHF 7.20	CHF 3'600.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)
	CHF 7.03	CHF 7'030.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	Schaltspannungsregler
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	B3QFN-20
Struktur:	Buck
Ausgangsspannung:	1 V to 16 V
Ausgangsstrom:	4 A
Anzahl der Ausgänge:	1 Output
Eingangsspannung – Min:	3 V
Eingangsspannung – Max:	36 V
Ruhestrom:	7 uA
Schaltfrequenz:	200 kHz to 2.2 MHz
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Serie:	TPSM63604
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Ladungsregulierung:	0.1 %, 1 mV
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Betriebsversorgungsstrom:	15 mA
Produkt-Typ:	Switching Voltage Regulators
Abschaltung:	Shutdown
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Typ:	Synchronous Buck DC/DC Power Module

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TPSM63604RDLR Datenblatt

PCN

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CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

TPSM63604 Synchrones Abwärtsleistungsmodul

Das Texas Instruments TPSM63604 synchrone Abwärtsleistungsmodul ist eine hochintegrierte DC/DC-Lösung mit 36 V und 4 A, die Leistungs-MOSFETs, eine geschirmte Induktivität und passive Bauelemente in einem Enhanced-HotRod™-QFN-Gehäuse kombiniert. Das Modul verfügt über V_IN- und V_OUT-Pins an den Ecken des Gehäuses für eine optimierte Platzierung des Eingangs- und Ausgangskondensators. Vier größere Wärme-Pads an der Unterseite des Moduls ermöglichen ein einfaches Layout und eine leichte Handhabung in der Fertigung.