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RGT20NL65GTL

Name: ROHM Semiconductor RGT20NL65GTL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RGT20NL65GTL
Price: 2.43 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-RGT20NL65GTL

Herst.- Nr.:

RGT20NL65GTL

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

IGBTs 5s Short-Circuit Tolerance, 650V 10A, LPDL, Field Stop Trench IGBT

Lebenszyklus:

NRND:

Nicht empfohlen für neue Designs.

Datenblatt:

RGT20NL65GTL Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	CHF 2.43	CHF 2.43
	CHF 1.58	CHF 15.80
	CHF 1.09	CHF 109.00
	CHF 0.907	CHF 453.50
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)
	CHF 0.81	CHF 810.00
2'000	Kostenvoranschlag

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	TO-263-3
Montageart:	SMD/SMT
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	650 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	2.1 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	30 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	20 A
Pd - Verlustleistung:	53 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	ROHM Semiconductor
Kriechstrom Gate-Emitter:	200 nA
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	IGBTs
Artikel # Aliases:	RGT20NL65

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Datenblatt

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Specification Sheets

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USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

RGT20NL65 Field-Stop-Trench-IGBT

Der Field Stop Trench IGBT RGT20NL65 von ROHM Semiconductor zeichnet sich durch eine niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung aus und eignet sich ideal für allgemeine Wechselrichter-, USV-, Power Conditioner- und Schweißanwendungen. Der ROHM RGT20NL65 Field Stop Trench IGBT bietet eine Kurzschlussfestigkeit von 5 μs. Darüber hinaus ist der Baustein für eine Gate-Emitter-Spannung von ±30 V und einen Kollektorstrom von 20 A bei 25 °C spezifiziert.

Field Stop Trench IGBTs

ROHM Field Stop Trench IGBTs are energy-saving, high-efficiency IGBTs used in a wide range of high-voltage and high-current applications. These IGBTs feature a low collector and emitter saturation voltage, short-circuit that withstands time, and built-in very fast and soft recovery FRD. The field stop trench IGBTs are ideal for UPS, power conditioners, welder, and general inverters for industrial use.