QPL1000SR

Qorvo
772-QPL1000SR
QPL1000SR

Herst.:

Beschreibung:
HF-Verstärker 8-11 GHz GaN LNA

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Qorvo
Produktkategorie: HF-Verstärker
RoHS:  
8 GHz to 11 GHz
10 V
20 mA
27 dB
1.7 dB
Low Noise Amplifiers
SMD/SMT
GaN
9 dBm
- 40 C
+ 95 C
QPL1000
Reel
Cut Tape
Marke: Qorvo
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Produkt-Typ: RF Amplifier
Verpackung ab Werk: 100
Unterkategorie: Wireless & RF Integrated Circuits
Artikel # Aliases: QPL1000
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Ausgewählte Attribute: 0

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CNHTS:
8542339000
USHTS:
8542330001
TARIC:
8542330000
ECCN:
EAR99

QPL1000 Rauscharmer Verstärker (LNA)

Der Qorvo QPL1000 rauscharme Verstärker (LNA) ist ein kompakter, leistungsstarker Verstärker, der mit dem 0,25-m-μ(Gen II)-Produktionsverfahren von Qorvo hergestellt wird. Mit der GaN-Gen-II-Technologie kann der QPL1000 LNA bis zu 5 W der CW-HF-Störleistung widerstehen und eine Sättigungsleistung von 15 dBm liefern. Dieser Verstärker deckt einen Frequenzbereich von 8 GHz bis 11 GHz ab und bietet eine Kleinsignal-Gain von 27 dB und einen niedrigen Rauschfaktor von 1,7 dB. Der QPL1000 Verstärker ist für eine einfache Handhabung und einfache Systemintegration mit integrierten DC-Sperrkondensatoren auf beiden I/O-Anschlüssen auf 50Ω abgestimmt. Dieser Verstärker eignet sich hervorragend für den Einsatz in Satelliten- und Punkt-zu-Punkt-Kommunikationssystemen.

Rauscharme Verstärker

Die rauscharme Verstärker (LNA) von Qorvo sind extrem rauscharme 2-Stufen-Gain-Block-Verstärkermodule mit hoher Linearität. Diese Verstärker bieten einen Betriebsbandbreite von 0,45 GHz bis 3,8 GHz. Die LNA-Module umfassen einen Bypass-Modus-Funktionsumfang, der in die zweite Stufe des Moduls integriert ist. Bei 1,95 GHz bieten die LNAs in der Regel eine Gain von 37,5 dB mit einem Ausgabeschnittpunkt (OIP3) von +35 dBm im hohen Gain-Modus. Darüber hinaus bieten diese Verstärker mit einer Gain von 17,5 dB und einem OIP3 von +34 dBm eine hohe Leistungsfähigkeit im niedrigen Gain-Modus. Die LNA-Module verwenden ein Hochleistungs-E-pHEMT-Verfahren (Enhancement Mode Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor). Die E-pHEMT-Technologie ermöglicht eine hohe Gain, ein niedriges Rauschen und einen großen Dynamikbereich in LNA-Applikationen mit hoher Linearität. Diese Verstärker enthalten außerdem eine interne aktive Vorspannung, um eine hohe Leistungsfähigkeit gegenüber der Temperatur aufrechtzuerhalten. Diese rauscharmen Verstärker sind in einem kompakten unbedrahteten 16-Pin-SMT-Gehäuse von 3,5 mm x 3,5 mm untergebracht, das bleifrei, halogenfrei und RoHS-konform ist.