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DMN2992UFA-7B

Name: Diodes Incorporated DMN2992UFA-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMN2992UFA-7B
Price: 0.12 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

621-DMN2992UFA-7B

Herst.- Nr.:

DMN2992UFA-7B

Herst.:

Diodes Incorporated

Beschreibung:

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN0806-3 T&R 10K

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

DMN2992UFA-7B Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 0.122	CHF 0.12
	CHF 0.081	CHF 0.81
	CHF 0.051	CHF 5.10
	CHF 0.032	CHF 16.00
	CHF 0.028	CHF 28.00
	CHF 0.025	CHF 62.50
	CHF 0.021	CHF 105.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 10000)
	CHF 0.018	CHF 180.00
	CHF 0.016	CHF 320.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Diodes Incorporated
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	X2-DFN0806-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	20 V
Id - Drain-Gleichstrom:	520 uA
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	990 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1 V
Qg - Gate-Ladung:	410 pC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	410 mW
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Diodes Incorporated
Produkt-Typ:	MOSFETs
Verpackung ab Werk:	10000
Unterkategorie:	Transistors

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Datenblatt

DMN2992UFA-7B Datenblatt (PDF)

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

DMN2992UFA 20-V-N-Kanal-Anreicherungsmodus-MOSFET

Der DMN2992UFA 20-V-N-Kanal-Anreicherungsmodus-MOSFET von Diodes Incorporated ist so konzipiert, dass der Einschaltwiderstand (R_DS(ON)) minimiert wird. Der MOSFET bietet ein überlegenes Betriebsverhalten und eignet sich daher ideal für hocheffiziente Leistungsmanagement-Applikationen. Der DMN2992UFA MOSFET von Diodes Inc. ist in einem X2-DFN0806-3 Gehäuse mit niedrigem Profil und einer Höhe von 0,04 mm erhältlich.