NTD5Cx Leistungs-MOSFETs

onsemi NTD5Cx Leistungs-MOSFETs sind Einzel-n-Kanal-MOSFETs mit niedrigem RDS(on) zur Reduzierung von Leitungsverlusten sowie niedrigem QG und einer Kapazität zur Reduzierung der Treiberverluste. Diese Leistungs-MOSFETs bieten eine Drain-Source-Spannung (VDS) von 40 V und 60 V. Diese NTD5Cx Leistungs-MOSFETs werden bei einem Betriebs- und Sperrschichttemperaturbereich von -55 °C bis 175 °C betrieben. Diese NTD5Cx MOSFETs sind bleifreie, halogen-/BFR-freie und RoHS-konforme Bauteile.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung

onsemi MOSFETs 60V 50A 4.1ohm NCh PowerTrench MOSFET
Datenblatt
16’668Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2’500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 21.5 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 90 nC - 55 C + 150 C 127 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi NTD5C632NLT4G
onsemi MOSFETs T6 60V LL DPAK
Datenblatt
2’014Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2’500
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 60 V 155 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 78 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel