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AIKBE50N65RF5ATMA1

Name: Infineon AIKBE50N65RF5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-AIKBE50N65RF5ATM
Price: 7.97 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-AIKBE50N65RF5ATM

Herst.- Nr.:

AIKBE50N65RF5ATMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

IGBTs SIC_DISCRETE

Datenblatt:

AIKBE50N65RF5ATMA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	SiC
Verpackung/Gehäuse:	TO263-3
Montageart:	SMD/SMT
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	650 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	2.03 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	4.8 V
Pd - Verlustleistung:	326 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Infineon Technologies
Kollektorgleichstrom Ic max.:	50 A
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	IGBTs
Handelsname:	CoolSiC
Artikel # Aliases:	AIKBE50N65RF5 -

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Datenblatt

AIKBE50N65RF5ATMA1 Datenblatt (PDF)

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Malaysia
Herstellungsland:: Malaysia
Land der Verbreitung:: Deutschland

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

CoolSiC™-Hybrid-IGBTs

CoolSiC™ -Hybrid-IGBTs von Infineon Technologies kombinieren einen schnellschaltenden TRENCHSTOP™-5-IGBT (Bipolartransistor mit isoliertem Gate), 650 V, mit einer CoolSiC ™ -Schottky-Diode. Diese Bauteile sind optimiert, sodass sie eine kostengünstige Leistungssteigerung für schnellschaltende Fahrzeuganwendungen ermöglichen.

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AIKBE50N65RF5ATMA1

Herst.: Infineon Technologies

Beschreibung: IGBTs SIC_DISCRETE

Technische Daten

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