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UCC21756QDWRQ1

Name: Texas Instruments UCC21756QDWRQ1
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-UCC21756QDWRQ1
Price: 6.22 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-UCC21756QDWRQ1

Herst.- Nr.:

UCC21756QDWRQ1

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

Galvanisch isolierte Gate-Treiber Automotive ± 10-A  isolated

Datenblatt:

UCC21756QDWRQ1 Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 6.22	CHF 6.22
	CHF 4.80	CHF 48.00
	CHF 4.46	CHF 111.50
	CHF 4.07	CHF 407.00
	CHF 3.88	CHF 970.00
	CHF 3.78	CHF 1'890.00
	CHF 3.67	CHF 3'670.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2000)
	CHF 3.60	CHF 7'200.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	Galvanisch isolierte Gate-Treiber
RoHS:
Serie:	UCC21756
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOIC-16
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Produkt-Typ:	Galvanically Isolated Gate Drivers
Verpackung ab Werk:	2000
Versorgungsspannung - Max.:	5.5 V
Versorgungsspannung - Min.:	3 V
Technologie:	SiC
Typ:	Single Channel Gate Driver

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Datenblatt

UCC21756QDWRQ1 Datenblatt

PCN

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CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

UCC21756-Q1 Isolierter Einkanal-Gate-Treiber

Der isolierte Einkanal-Gate-Treiber UCC21756-Q1 von Texas Instruments ist für SiC-MOSFETs und IGBTs mit einer Betriebsspannung von bis zu 2121 V DC ausgelegt und zeichnet sich durch erweiterte Schutzfunktionen, erstklassige dynamische Leistung und Robustheit aus. Der UCC21756-Q1 verfügt über einen Quellen- und Senken-Spitzenstrom von bis zu ±10 A. Die Eingangsseite ist von der Ausgangsseite mit der kapazitiven SiO_{2-Isolationstechnologie} isoliert, die eine Betriebsspannung bis zu 1,5 kV_RMS, eine Stoßspannungsfestigkeit von 12,8 kV_PK mit einer Lebensdauer der Isolationsbarriere von über 40 Jahren sowie eine geringe Bauteil-zu-Bauteil-Verzögerungsabweichung und eine Gleichtaktstörfestigkeit (CMTI) von >150 V/ns bietet.