Siliziumkarbid-Bauteile (SiC)

Die Siliziumkarbid-Leistungselemente von ROHM Semiconductor liefern eine 10-fache dielektrische Durchbruchfeldstärke, eine 3x größere Bandlücke, und die 3-fache Wärmeleitfähigkeit im Vergleich zu konventionellen Silizium-Lösungen. Dies ermöglicht geringere Schaltverluste, einen geringeren ON-Widerstand, und eine höhere Betriebstemperatur. Das Ergebnis sind eine geringere Verlustleistung und kleinere Module. Außerdem benötigen Designer weniger Bauteile, was die Komplexität der Entwicklung weiter reduziert.

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ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs 1200V 55A 262W SIC 40mOhm TO-247N
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs 1200V 72A 339W SIC 30mOhm TO-247N
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs 1200V 24A 134W SIC 105mOhm TO-247N
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
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MOSFET Modules SiC Screw Mount Module
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SiC Schottky Diodes SMD/SMT TO-263AB-3
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
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