Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

SIRS5700DP-T1-RE3

Name: Vishay SIRS5700DP-T1-RE3
Brand: Vishay
SKU: 78-SIRS5700DP-T1-RE3
Price: 3.82 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-SIRS5700DP-T1-RE3

Herst.- Nr.:

SIRS5700DP-T1-RE3

Herst.:

Vishay

Beschreibung:

MOSFETs N-CH 150V Vds 20Vgs 144A Rds .0062

Datenblatt:

SIRS5700DP-T1-RE3 Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu Vishay SIRS5700DP-T1-RE3

Auf Lager: 2'618

Lagerbestand:: 2'618 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

CHF -.--

Erw. Preis:

CHF -.--

Vorauss. Zolltarif:

Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 3.82	CHF 3.82
	CHF 2.52	CHF 25.20
	CHF 1.93	CHF 193.00
	CHF 1.68	CHF 840.00
	CHF 1.63	CHF 1'630.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 1.42	CHF 4'260.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SO-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	150 V
Id - Drain-Gleichstrom:	144 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	5.6 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	73 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	278 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Vishay
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	25 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	122 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	21 ns
Serie:	SiRS5700DP
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	40 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	20 ns

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

SIRS5700DP-T1-RE3 Datenblatt

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SiRS5700DP 150 V-n-Kanal-MOSFET (D-S)

Der SiRS5700DP (D-S) n-Kanal-150 V MOSFET von Vishay ist ein TrenchFET®-Gen-V-Leistungs-MOSFET mit einer sehr niedrigen R_DS x Q_g -Gütezahl (FOM). Der SiRS5700DP von Vishay optimiert den Leistungswirkungsgrad, und der R_{DS (on)} des Bauteils reduziert die Verlustleistung während der Leitung und sorgt für einen effizienten Betrieb. Dieser MOSFET wird einer 100 %-R_g - und UIS-Prüfung unterzogen und garantiert Zuverlässigkeit. Darüber hinaus verbessert das Bauteil die Verlustleistung und reduziert den thermischen Widerstand (R_thJC), wodurch es eine ideale Wahl für Hochleistungsapplikationen ist.