LMG2100R026VBNR

Texas Instruments
595-LMG2100R026VBNR
LMG2100R026VBNR

Herst.:

Beschreibung:
Gate-Treiber 100V 2.6m? half-brid ge gallium nitride

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CHF -.--
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Gehäuse:
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)

Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™
CHF 10.28 CHF 10.28
CHF 8.22 CHF 82.20
CHF 7.97 CHF 199.25
CHF 6.91 CHF 691.00
CHF 6.61 CHF 1'652.50
CHF 6.03 CHF 3'015.00
CHF 6.01 CHF 6'010.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
CHF 5.01 CHF 12'525.00
† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden.

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
Texas Instruments
Produktkategorie: Gate-Treiber
RoHS:  
Gate Drivers
Half-Bridge
SMD/SMT
VQFN-16
1 Driver
1 Output
8 A
4.75 V
5.25 V
- 40 C
+ 125 C
LMG2100R026
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Texas Instruments
Kenndaten und Eigenschaften: Low Power Consumption
Eingangsspannung – Max: 5.25 V
Eingangsspannung – Min: 4.75 V
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Ausgangsspannung: 12 V
Produkt-Typ: Gate Drivers
Verzögerungszeit - Max.: 55 ns
Rds On - Drain-Source-Widerstand: 3.5 mOhms
Abschaltung: No Shutdown
Verpackung ab Werk: 2500
Unterkategorie: PMIC - Power Management ICs
Technologie: Si
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Ausgewählte Attribute: 0

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CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

LMG2100R026 GaN-Halbbrücken-Leistungsstufe

Die LMG2100R026 GaN-Halbbrücken-Leistungsstufe von Texas Instruments enthält einen Gate-Treiber und Anreicherungsmodus-Galliumnitrid (GaN)-FETs. Die 53 A Halbbrücken-Leistungsstufe mit 93 V kontinuierlicher und 100 V Impulsspannung enthält zwei GaN-FETs, die von einem Hochfrequenz-GaN-FET-Treiber in einer Halbbrücken-Konfiguration angesteuert werden. Der Treiber und die beiden GaN-FETs sind auf einer vollständig bonddrahtfreien Gehäuseplattform mit minimierten parasitären Gehäusekomponenten montiert.