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SIR870DP-T1-GE3

Name: Vishay SIR870DP-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 781-SIR870DP-T1-GE3
Price: 2.74 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

781-SIR870DP-T1-GE3

Herst.- Nr.:

SIR870DP-T1-GE3

Herst.:

Vishay Semiconductors

Beschreibung:

MOSFETs N-CHANNEL 100-V(D-S)

Datenblatt:

SIR870DP-T1-GE3 Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 2.74	CHF 2.74
	CHF 1.79	CHF 17.90
	CHF 1.16	CHF 116.00
	CHF 1.03	CHF 515.00
	CHF 1.00	CHF 1’000.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 0.931	CHF 2’793.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerPAK-SO-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	60 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.2 V
Qg - Gate-Ladung:	84 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	104 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	TrenchFET, PowerPAK
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Vishay Semiconductors
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	8 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	80 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	10 ns
Serie:	SIR
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	38 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	12 ns
Artikel # Aliases:	SIR870DP-GE3
Gewicht pro Stück:	506.600 mg

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Datenblatt

SIR870DP-T1-GE3 Datenblatt

Models

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: China

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

SiR870DP 100V Leistungs-MOSFETs

Vishay Siliconix SiR870DP 100V n-Kanal-TrenchFET® Leistungs-MOSFETs verfügen mittels ThunderFET® Technolgie über den branchenweit niedrigsten On-Widerstand von 7,8mO bei 4,5V. Der Vishay Siliconix SiR870DP bietet auch einen sehr niedrigen On-Widerstand von 6mO bei 10V. Diese Vishay Siliconix ThunderFET-Bauteile verfügen außerdem über den branchenweit niedrigsten 208mO-nC FOM-Wert (Figure of Merit) bei 4,5V. Der niedrige On-Widerstand führt zu niedrigeren Leitungsverlusten und verringertem Stromverbrauch für eine energiesparende, umweltfreundliche Lösung. SiR870DP 100V TrenchFET Leistungs-MOSFETs wurden für höhere Frequenzen und Schaltanwendungen entworfen.
Weitere Informationen

Industrie-Leistungslösung

Vishay bietet eines der branchenweit größten Portfolios an Halbleiter- und passiven Bauelementen für Industrie-Stromversorgungsapplikationen. Das Produktportfolio von Vishay für Industrie-Stromversorgungen umfasst Leistungs-MOSFETs, Leistungs-ICs, Gleichrichter, Dioden, Kondensatoren, Widerstände und Induktivitäten.

ThunderFET® Leistungs-MOSFETs

Die ThunderFET^® Leistungs-MOSFETs von Vishay Siliconix bieten den branchenweit niedrigsten On-Widerstand unter den 100-V-MOSFETs in der 4,5V-Klasse. Zusätzlich zum On-Widerstand und der Gate-Ladung ist die wichtige Gütezahl (Figure of Merit - FOM) für MOSFETs in DC-DC-Wandlern ebenfalls die Beste. Durch den niedrigen On-Widerstand bieten sie Designern niedrigere Leitungsverluste und einen geringeren Stromverbrauch für energiesparende, umweltfreundliche Lösungen. Diese Bausteine sind für primäre Taktung und sekundäre Synchrongleichrichtung in isolierten DC/DC-Stromversorgungs-Designs für den Einsatz in Telekommunikations-Brick- und Bus-Wandlern optimiert. Die 4,5-V-Klassifizierung für den On-Widerstand des MOSFETs erlaubt es, eine große Auswahl an PWM- und Gatetreiber-ICs zu berücksichtigen.
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