STL120N10F8

STMicroelectronics
511-STL120N10F8
STL120N10F8

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs N-Channel Enhancement Mode Standard Level 100V, 4.6mohm max, 125A STripFET F8

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Preis (CHF)

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CHF 1.36 CHF 13.60
CHF 0.932 CHF 93.20
CHF 0.745 CHF 372.50
CHF 0.723 CHF 723.00
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STMicroelectronics
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
N-Channel
1 Channel
100 V
125 A
4.6 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
56 nC
- 55 C
+ 175 C
150 W
Enhancement
STripFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: STMicroelectronics
Abfallzeit: 17 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 16 ns
Serie: STripFET F8
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 41 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 17 ns
Gewicht pro Stück: 76 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

STripFET F8 N-Kanal Leistungs-MOSFETs

Die N-Kanal-Leistungs-MOSFETs STripFET F8 von STMicroelectronics sind nach AEC-Q101 zugelassen und bieten eine umfassende Paketlösung von 30 V bis 150 V, um alle Anforderungen für Lösungen mit sehr hoher Leistungsdichte zu erfüllen. Diese Niederspannungs-MOSFETs verfügen über die STPOWER StripFET F8-Technologie. Die STripFET F8-Technologie spart Energie und sorgt für geringe Rauschentwicklung in Stromumwandlungs-, Motorsteuerungs- und Stromverteilungsschaltungen, indem sie sowohl den Durchlasswiderstand als auch die Schaltverluste reduziert und gleichzeitig die Eigenschaften der Body-Diode optimiert. Die N-Kanal-Leistungs-MOSFETs STripFET F8 von STMicroelectronics vereinfachen das Systemdesign und steigern die Effizienz in Anwendungen wie Fahrzeugtechnik, Computer/Peripheriegeräte, Rechenzentren, Telekommunikation, Solarenergie, Netzteile/Wandler, Batterieladegeräte, Haushalts-/Profigeräte, Gaming, Drohnen und mehr.

STL120N10F8 100-V-n-Kanal-STripFET-MOSFET

Der STL120N10F8 100-V-n-Kanal-STripFET-MOSFET mit Anreicherungsmodus von STMicroelectronics nutzt die STripFET-F8-Technologie von ST, die eine verbesserte Trench-Gate-Struktur aufweist. Er gewährleistet einen sehr niedrigen Durchlasswiderstand und reduziert gleichzeitig die internen Kapazitäten und die Gate-Ladung für ein schnelleres und effizienteres Schalten. Der STL120N10F8 von STMicroelectronics ist ideal für das Schalten von Applikationen