STP80N600K6

STMicroelectronics
511-STP80N600K6
STP80N600K6

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET
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STMicroelectronics
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
800 V
7 A
600 mOhms
- 30 V, 30 V
4 V
10.7 nC
- 55 C
+ 150 C
86 W
Enhancement
Tube
Marke: STMicroelectronics
Abfallzeit: 12.6 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 4.1 ns
Verpackung ab Werk: 50
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 28.2 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 9 ns
Gewicht pro Stück: 2 g
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Konformitätscodes
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
China
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

MDmesh K6 n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Die N-Kanal-Leistungs-MOSFETs MDmesh K6 von STMicroelectronics sind durch Zener-Dioden geschützt und zu 100 % Avalanche-getestet. Diese Leistungs-MOSFETs zeichnen sich durch eine Mindest-Drain-Source-Durchschlagspannung von 800 V, eine Gate-Source-Spannung von ±30 V und eine Sperrschicht-Betriebstemperatur von -55 °C bis 150 °C aus. Die Leistungs-MOSFETs MDmesh K6 zeichnen sich außerdem durch eine maximale Dioden-Erholungs-Spannungsteilung von 5 V/ns, eine maximale Dioden-Erholungs-Stromteilung von 100 A/µs und eine MOSFET-dv/dt-Robustheit von 120 V/ns aus. Typische Anwendungen sind Notebooks und AIOs, Sperrwandler, Netzteile für Tablets und LED-Beleuchtung.

STP80N600K6 MDmesh K6 Leistungs-MOSFET

Der STP80N600K6 MDmesh K6 Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics ist ein n-Kanal-Leistungs-MOSFET für sehr hohe Spannungen, der die ultimative MDmesh K6 Technologie nutzt. Diese K6-Technologie basiert auf 20 Jahren Erfahrung von STMicroelectronics in der Super-Junction-Technologie. Dank dieser Technologie bietet der STMicro STP80N600K6 den klassenbesten On-Widerstand pro Fläche und Gate-Ladung für Anwendungen, die eine überragende Leistungsdichte und hohe Effizienz erfordern.

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