3,3V Single Data Rate (SDR) synchroner DRAM

ISSIs 3,3V Single Data Rate (SDR) synchroner DRAM bietet eine breite Auswahl an SDR SDRAM mit Speicherdichten von 16Mbit bis zu 512Mbit in Speicheranordnungen von 1Mx16, 4Mx16 und 8Mx16. Jede dieser Komponenten verfügt über eine einzelne Versorgungsspannung (3,3V +/-0,3V), Standard-SDRAM-Taktung, LVTTL-kompatible Eingänge, programmierbare Burst-Länge von 1, 2, 4, 8 oder Full-Page, Auto-Refresh- und Self-Refresh-Modi sowie eine programmierbare CAS-Latenz von 2 oder 3. Typische Anwendungsbereiche für diese Komponenten sind unter anderem drahtlose Zugangspunkte, Basisstationen, Router, Netzwerkspeicher, Energiemanagement-Anwendungen, industrielle Steuerungen, Infotainment in Fahrzeugen und Fahrzeug-Telematik.
Weitere Informationen

Ergebnisse: 86
Auswählen Bild Teile-Nr.
 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Typ
Speichergröße
Datenbus-Weite
Maximale Taktfrequenz
Verpackung/Gehäuse
Organisation
Zugangszeit
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsspannung - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 166 Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT
Datenblatt
668Auf Lager
348erwartet ab 20.04.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 188

SDRAM 64 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 143 Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS
Datenblatt
343Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 200

SDRAM 64 Mbit 16 bit 143 MHz BGA-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 166 Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS
Datenblatt
696Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 200

SDRAM 64 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 166Mhz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS
Datenblatt
188Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 58

SDRAM 64 Mbit 32 bit 166 MHz TSOP-II-86 2 M x 32 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
Datenblatt
239Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 200

SDRAM 64 Mbit 32 bit 143 MHz BGA-90 2 M x 32 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
Datenblatt
6'211Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 182

SDRAM 256 Mbit 32 bit 143 MHz BGA-90 8 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S32800J
ISSI DRAM 256M 16Mx16 143Mhz SDR SDRAM, 3.3V
Datenblatt
3'562Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 95

SDRAM 256 Mbit 16 bit 143 MHz BGA-54 16 M x 16 5.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S16160G Tray
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 86 pin TSOP II RoHS, IT
Datenblatt
1'035Auf Lager
864erwartet ab 24.04.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 869

SDRAM 256 Mbit 32 bit 166 MHz TSOP-II-86 8 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S32800J
ISSI DRAM 16M, 3.3V, SDRAM 1Mx16, 166Mhz,RoHS
Datenblatt
2'679Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 1'298

SDRAM 16 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-50 1 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S16100H
ISSI DRAM 256M 16Mx16 166MHz SDR SDRAM, 3.3V
Datenblatt
766Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 253

SDRAM 256 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-54 16 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S16160G Tray
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 166MHz, 54 pin Copper TSOP II (400 mil) RoHS
Datenblatt
785Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 79

SDRAM 512 Mbit 16 bit 167 MHz TSOP-II-54 32 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S16320F
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 166MHz, 54 pin Copper TSOP II (400 mil) RoHS, IT
Datenblatt
670Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 265

SDRAM 512 Mbit 16 bit 167 MHz TSOP-II-54 32 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S16320F
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 166MHz, 86 pin TSOP II, RoHS, IT
Datenblatt
237Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 16

SDRAM 512 Mbit 32 bit 167 MHz TSOP-II-86 16 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S32160F
ISSI DRAM 16M, 3.3V, SDRAM 1Mx16, 143Mhz,RoHS
Datenblatt
3'712Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 200

SDRAM 16 Mbit 16 bit 143 MHz BGA-60 1 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S16100H
ISSI DRAM 256M 16Mx16 143MHz SDR SDRAM, 3.3V
Datenblatt
2'926Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 112

SDRAM 256 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 16 M x 16 5.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S16160G Tray
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 32Mx8, 143MHz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT
Datenblatt
323Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 200

SDRAM 256 Mbit 8 bit 143 MHz BGA-54 32 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S83200G Tray
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm)
Datenblatt
237Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 200

SDRAM 256 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 8 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S32800G Tray
ISSI DRAM 32Mb 2Mx16 133MHz Mobile SDRAM
Datenblatt
982Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 200

SDRAM Mobile 32 Mbit 16 bit 133 MHz BGA-54 2 M x 16 5.5 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42SM16200D Tray
ISSI DRAM 16M, 3.3V, SDRAM 1Mx16, 166Mhz,RoHS
Datenblatt
106Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 15

SDRAM 16 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-60 1 M x 16 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S16100H
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 64Mx8, 166Mhz, 54 pin TSOP II RoHS, IT
Datenblatt
47Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 200

SDRAM 512 Mbit 8 bit 167 MHz TSOP-II-54 64 M x 8 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S86400F Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 32Mx8, 166MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS
Datenblatt
87Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 200

SDRAM 256 Mbit 8 bit 166 MHz TSOP-II-54 32 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S83200J
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 32Mx8, 166MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT
Datenblatt
119Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 5

SDRAM 256 Mbit 8 bit 166 MHz TSOP-II-54 32 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S83200J
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 32Mx8, 143MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS
Datenblatt
81Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 18

SDRAM 256 Mbit 8 bit 143 MHz TSOP-II-54 32 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S83200J
ISSI DRAM 16M, 3.3V, SDRAM 1Mx16, 166Mhz,RoHS
Datenblatt
67Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 200

SDRAM 16 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-50 1 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S16100H
ISSI DRAM 16M, 3.3V, SDRAM 1Mx16, 143Mhz,RoHS
Datenblatt
14Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 200

SDRAM 16 Mbit 16 bit 143 MHz BGA-60 1 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S16100H