NXH450B100H4Q2 Si-/SiC-Hybridmodule

onsemi NXH450B100H4Q2 Si/SiC-Hybridmodule enthalten zwei IGBTs von 1.000 V, 150 A, zwei SiC-Dioden von 1.200 V, 30 A und zwei Bypass-Dioden von 1.600 V 30 A sowie einen NTC-Thermistor. Diese Si/SiC-Hybridmodule zeichnen sich durch niedrige Schaltverluste, eine reduzierte System-Verlustleistung, ein wenig induktives Layout, Einpress- und Löt-Pinoptionen aus. Die NXH450B100H4Q2 Hybridmodule bieten unter Schaltbedingungen -40°C bis 125°C im Lagertemperaturbereich und -40°C bis 125°C im Betriebstemperaturbereich. Diese Si/SiC-Hybridmodule werden ideal in Solarwechselrichtern und unterbrechungsfreien Stromversorgungen eingesetzt.