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NVMFS4C306NT1G

Name: onsemi NVMFS4C306NT1G
Brand: onsemi
SKU: 698-NVMFS4C306NT1G
Price: 1.94 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

698-NVMFS4C306NT1G

Herst.- Nr.:

NVMFS4C306NT1G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs TRENCH 30V NCH

Lebenszyklus:

NRND:

Nicht empfohlen für neue Designs.

Datenblatt:

NVMFS4C306NT1G Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	CHF 1.94	CHF 1.94
	CHF 1.24	CHF 12.40
	CHF 0.851	CHF 85.10
	CHF 0.678	CHF 339.00
	CHF 0.621	CHF 621.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)
	CHF 0.621	CHF 931.50

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SO-8FL-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	20.6 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	4.8 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.1 V
Qg - Gate-Ladung:	11.6 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	3 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	MY
Abfallzeit:	3 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	58 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	28 ns
Serie:	NVMFS4C306N
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	24 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	8 ns

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Datenblatt

NVMFS4C306NT1G Datenblatt

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NVMFS4C306N Leistungs-MOSFETs

onsemi NVMFS4C306N Leistungs-MOSFETs bieten eine Drain-Source-Spannung von 30 V, einen R_DS(ON) von 3,4 mΩ und einen Dauersenkenstrom von 71 A. Der Automotive-Leistungs-MOSFET ist in einem Flat-Lead-SO8-FL-Gehäuse von 5 mm x 6 mm erhältlich, das für kompakte und effiziente Designs ausgelegt ist.