UCC27444QDGNRQ1

Texas Instruments
595-UCC27444QDGNRQ1
UCC27444QDGNRQ1

Herst.:

Beschreibung:
Gate-Treiber Automotive 4-A dual- channel low-side ga

ECAD Model:
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CHF 0.529 CHF 529.00
CHF 0.516 CHF 2'064.00
CHF 0.51 CHF 3'825.00

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Texas Instruments
Produktkategorie: Gate-Treiber
RoHS:  
Automotive High-Speed Gate Drivers
Low-Side
SMD/SMT
HVSSOP-8
2 Driver
2 Output
4 A, 4 A
4.5 V
18 V
Non-Inverting
11 ns
7 ns
- 40 C
+ 125 C
UCC27444
Marke: Texas Instruments
Logiktyp: CMOS, TTL
Betriebsversorgungsstrom: 45 mA
Ausgangsspannung: 0 V to 18 V
Produkt-Typ: Gate Drivers
Verzögerungszeit - Max.: 50 ns, 52 ns
Abschaltung: No Shutdown
Verpackung ab Werk: 2500
Unterkategorie: PMIC - Power Management ICs
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Ausgewählte Attribute: 0

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CNHTS:
8542391090
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

UCC27442-Q1 Hochgeschwindigkeits-Low-Side-Gate-Treiber

Der UCC27442-Q1 Zweikanal-Hochgeschwindigkeits-Low-Side-Gate-Treiber von Texas Instruments kann MOSFET- und GaN-Leistungsschalter effektiv ansteuern. Der UCC27442-Q1 verfügt über eine typische Spitzenantriebsstärke von 4 A, die die Anstiegs- und Abfallzeiten der Leistungsschalter reduziert, Schaltverluste senkt und den Wirkungsgrad erhöht. Die schnelle Laufzeitverzögerung des UCC27442-Q1 (typisch 18 ns) bietet einen besseren Wirkungsgrad der Leistungsstufe durch Verbesserung der Totzeitoptimierung, der Pulsbreitenauslastung, des Regelkreisverhaltens und Einschwingverhalten des Systems.

UCC27444/UCC27444-Q1 4 A Low-Side GATE Treiber

Der 4-A-Low-Side-Gate-Treiber UCC27444/UCC27444-Q1 von Texas Instrument ist ein Zweikanal-Hochgeschwindigkeits-Low-Side-Gate-Treiber, der MOSFET- & GaN-Leistungsschalter effektiv ansteuert. UCC27444/UCC27444-Q1 hat eine typische Spitzenstromstärke von 4 A, was die Anstiegs- und Abfallzeiten der Leistungsschalter reduziert, den Wirkungsgrad erhöht und die Schaltverluste verringert. Die schnelle Ausbreitungsverzögerung des Bauelements (typisch 18 ns) führt zu einer besseren Effizienz der Leistungsstufe, da die Ausnutzung der Impulsbreite, die Optimierung der Totzeit, die Reaktion des Regelkreises und das Einschwingverhalten des Systems verbessert werden.