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Menge RoHS
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs 1700V 3.7A N-MOSFET Silicon Carbide SiC
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1'494Auf Lager
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ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs N-Ch 1200V SiC 72A 30mOhm TrenchMOS
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695Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs N-Ch 650V 30A Silicon Carbide SiC
Datenblatt
1'021Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs N-Ch 650V SiC 70A 30mOhm TrenchMOS
Datenblatt
102Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs N-Ch 1200V SiC 55A 40mOhm TrenchMOS
Datenblatt
322Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs N-Ch 650V SiC 39A 60mOhm TrenchMOS
Datenblatt
839Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS
Datenblatt
5Auf Lager
450erwartet ab 12.03.2026
Min.: 1
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ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs N-Ch 650V SiC 21A 120mOhm TrenchMOS
Datenblatt
92Auf Lager
450erwartet ab 20.05.2026
Min.: 1
Mult.: 1
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs N-Ch 1200V SiC 17A 160mOhm TrenchMOS
Datenblatt
24Auf Lager
450erwartet ab 11.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1

ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS
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1'197Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

ROHM Semiconductor IC-Entwicklungstools für Energieverwaltung Evaluation Board for BD7682FJ-LBE2
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1