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Menge RoHS
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS
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389Auf Lager
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Mult.: 1

ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS
Datenblatt
1’137Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs N-Ch 650V SiC 70A 30mOhm TrenchMOS
Datenblatt
110Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs N-Ch 1200V SiC 72A 30mOhm TrenchMOS
Datenblatt
685Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs N-Ch 1200V SiC 55A 40mOhm TrenchMOS
Datenblatt
149Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs N-Ch 650V 30A Silicon Carbide SiC
Datenblatt
902Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs N-Ch 650V SiC 39A 60mOhm TrenchMOS
Datenblatt
60Auf Lager
1’350erwartet ab 28.10.2026
Min.: 1
Mult.: 1
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs N-Ch 650V SiC 21A 120mOhm TrenchMOS
Datenblatt
28Auf Lager
450erwartet ab 06.07.2026
Min.: 1
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ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs N-Ch 1200V SiC 17A 160mOhm TrenchMOS
Datenblatt
24Auf Lager
3’150Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs 1700V 3.7A N-MOSFET Silicon Carbide SiC
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1’190Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

ROHM Semiconductor IC-Entwicklungstools für Energieverwaltung Evaluation Board for BD7682FJ-LBE2
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1